类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：500V
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　漏极电流（ID）：40A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.11Ω（典型值）
　　功率耗散（PD）：200W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-247

G40N50 MOSFET具备多项优良的电气和热性能，适用于中高功率应用。其主要特点包括高击穿电压（500V），能够承受较高的电压应力，适用于AC/DC和DC/DC转换器等应用。该器件的导通电阻较低，通常在0.11Ω左右，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
　　此外，G40N50采用了先进的平面技术，提供良好的热稳定性和较高的可靠性。其封装形式（如TO-247）具有良好的散热性能，适合在较高环境温度下运行。该MOSFET还具有快速开关特性，适用于高频开关电源设计，降低开关损耗，提高整体效率。
　　该器件内置的体二极管也具有较高的反向恢复能力，适用于需要频繁切换的应用场景，如电机驱动、电源整流等。G40N50在设计上考虑了抗雪崩能力，可在高能脉冲条件下保持稳定运行。

G40N50常用于各种电力电子系统中，如开关电源（SMPS）、DC/DC转换器、AC/DC整流器、UPS不间断电源、工业电机控制、逆变器和LED驱动电源等。由于其高耐压和大电流能力，它也适用于太阳能逆变器和电动汽车充电模块等高功率应用。
　　在开关电源中，G40N50作为主功率开关，用于实现高效的能量转换；在逆变器系统中，它可以作为桥式结构中的功率开关元件，将直流电转换为交流电输出；在电机控制应用中，该MOSFET可用于实现PWM调速控制，提供稳定的输出功率。
　　此外，G40N50也可用于高功率LED照明系统中，作为恒流驱动电路的核心开关元件，确保LED光源的稳定性和长寿命。

IRF460、FDP40N50、STP40NF50、IXFH40N50