时间：2025/7/11 15:58:39
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SSM3K36FS是罗姆半导体（ROHM）推出的一款N沟道增强型功率MOSFET。该器件采用小型封装DFN4P（1.8x2.0mm），具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于便携式设备、消费电子以及通信设备中的电源管理电路。其出色的性能使其成为高效能开关应用的理想选择。
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：DFN4P（1.8x2.0mm）
漏源极击穿电压VDS：30V
连续漏极电流ID：3.5A
栅极-源极电压VGS：±8V
导通电阻RDS(on)：7mΩ（在VGS=4.5V时）
总功耗PD：950mW
工作结温范围TJ：-55℃ to +150℃
SSM3K36FS具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（RDS(on)仅为7mΩ），有助于降低传导损耗并提升效率。
2. 小尺寸封装DFN4P（1.8x2.0mm），非常适合空间受限的应用场景。
3. 高速开关性能，支持高频操作，适用于开关电源和DC-DC转换器。
4. 良好的热稳定性，在高温环境下仍能保持稳定运行。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
SSM3K36FS广泛应用于多种领域，包括但不限于：
1. 消费类电子产品中的负载开关和电源管理。
2. 便携式设备如智能手机和平板电脑的充电电路。
3. 开关模式电源（SMPS）和DC-DC转换器。
4. LED驱动电路中的开关元件。
5. 各种需要高效能、小体积解决方案的电子系统。
SSM3J383MF, SSM3K33FS
