类型：N沟道
　　最大漏极电流（Id）：52A
　　最大漏源电压（Vds）：200V
　　导通电阻（Rds(on)）：0.155Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：95nC
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220、D2PAK

FQPF52N20的主要特性之一是其低导通电阻（Rds(on)），这一参数确保了器件在导通状态下的功率损耗较低，从而提高了整体效率。在高电流应用中，这种低Rds(on)可以显著减少发热，延长器件寿命。
　　此外，该MOSFET具有高耐压能力，漏源电压最大可达到200V，使其适用于高电压工作环境。同时，其高电流容量（最大52A）使得该器件可以在大功率负载下稳定运行。
　　另一个关键特性是其热稳定性好，能够在较高的工作温度下保持性能稳定。这得益于其优化的硅片设计和封装技术，使得热量可以更有效地散发出去。
　　该器件的栅极电荷（Qg）为95nC，属于中等水平，这意味着其开关速度可以在合理范围内控制，避免过高的开关损耗，同时保持快速响应能力。
　　最后，FQPF52N20采用TO-220和D2PAK封装，这两种封装形式均具备良好的散热性能，适用于需要高功率密度的设计。

FQPF52N20广泛应用于各种电力电子系统中，特别是在需要高效率和高稳定性的场合。例如，在DC-DC转换器中，该MOSFET可以作为主开关器件，负责将输入电压转换为所需的输出电压。由于其低Rds(on)，在开关过程中产生的损耗较低，有助于提高转换器的整体效率。
　　在电源管理模块中，FQPF52N20常用于负载开关、电源分配和过流保护电路。其高电流和高电压能力使其适用于工业级电源系统，确保在复杂工况下仍能稳定运行。
　　此外，该器件也常用于电机驱动和逆变器电路中。在这些应用中，MOSFET需要频繁开关以控制电机的速度和方向，而FQPF52N20的高开关速度和高耐压特性使其成为理想选择。
　　在太阳能逆变器和电动汽车充电系统等新能源领域，FQPF52N20同样表现出色。其高可靠性和热稳定性保证了在恶劣环境下仍能长时间稳定工作，从而提高系统的整体可靠性。

STP55NF20, IRF540N, FQP50N20