KGF75N65KDF 时间：2025/12/28 16:19:10 阅读：9

KGF75N65KDF是一款高压大功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要设计用于高电压和高电流应用。这款器件由KEXIN品牌制造，具有高耐压性和低导通电阻的特性，适用于电源管理、电机控制、逆变器、充电器以及各种高功率电子设备中。

参数

类型：MOSFET（N沟道）
　　最大漏极电流（ID）：75A
　　最大漏源电压（VDS）：650V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　导通电阻（RDS(on)）：典型值为0.12Ω
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：TO-247
　　功率耗散（PD）：300W

特性

KGF75N65KDF具备优异的电气性能和热稳定性，能够承受高电压和大电流的工况，确保器件在极端环境下仍能稳定运行。
　　其低导通电阻特性可显著降低导通损耗，提高系统整体效率，从而减少散热需求并提升功率密度。
　　该MOSFET采用TO-247封装，具备良好的散热性能，适用于高功率密度设计。
　　此外，该器件还具有较高的抗雪崩能力，能够在瞬态过压条件下保持稳定，提高系统的可靠性和耐用性。
　　KGF75N65KDF还具有快速开关特性，有助于减少开关损耗，适用于高频开关电源和逆变器应用。

应用

KGF75N65KDF广泛应用于各种高功率电子设备中，如工业电源、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电机驱动器、电动汽车充电设备以及各类高功率开关电源系统。
　　在这些应用中，该MOSFET能够提供高效的功率转换性能，同时确保系统的稳定性和可靠性。
　　其高耐压和大电流能力使其特别适合用于需要承受高负载和高电压波动的场景，如工业自动化设备和新能源发电系统中的功率转换模块。