时间：2025/5/24 17:11:22
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IPB033N10N5LF是一款由Infineon（英飞凌）生产的MOSFET功率晶体管，采用TO-Leadless (TOLL) 封装。该器件属于OptiMOS系列，专为高频开关应用设计，具有低导通电阻和高效率的特性，广泛应用于服务器、电信整流器、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及其他工业电力转换系统中。
这款MOSFET采用了先进的硅工艺技术，能够在高频条件下提供出色的性能表现，并具备极低的栅极电荷和输出电荷，从而减少了开关损耗并提高了整体系统效率。
类型：N-Channel MOSFET
最大漏源电压(Vds)：100V
最大连续漏极电流(Id)：67A
导通电阻(Rds(on))：2.3mΩ (典型值，Vgs=10V)
栅极电荷(Qg)：45nC (典型值)
总电容(Ciss)：3440pF (典型值)
封装形式：TO-Leadless (TOLL)
工作温度范围：-55°C to +175°C
1. 极低的导通电阻Rds(on)，能够显著降低传导损耗。
2. 优化的栅极电荷Qg，适合高频开关应用。
3. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 快速开关速度，有助于提高系统效率。
5. 良好的热性能，支持更高的功率密度。
6. 符合RoHS标准，环保无铅设计。
7. TO-Leadless (TOLL) 封装提供了卓越的散热特性和更小的占位面积，便于高密度PCB设计。
1. DC-DC转换器中的功率级开关。
2. 服务器和通信设备中的负载点(PoL)转换。
3. 不间断电源(UPS)系统的功率开关。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
5. 工业电机驱动和控制系统中的功率开关。
6. 开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流元件。
IPW300N10S5G
IPB140N10N5G
BSC028N10NS5
