H9CKNNNDATMTDR-NUHR 是由SK Hynix(海力士)公司生产的一款高性能DRAM(动态随机存取存储器)芯片。这款芯片采用先进的制造工艺,具有高容量、低功耗和高速数据传输的特点,广泛应用于高端计算设备、服务器、图形卡和嵌入式系统等领域。
类型:DRAM
容量:8GB
电压:1.2V
频率:3200Mbps
封装:FBGA
数据总线宽度:x16
工作温度:0°C 至 85°C
H9CKNNNDATMTDR-NUHR具有多项先进的技术特性。首先,它采用了低电压设计(1.2V),有效降低了功耗,提高了能效,适合对功耗敏感的应用场景。其次,该芯片支持3200Mbps的数据传输速率,能够提供快速的数据访问能力,显著提升系统性能。此外,其采用x16的数据总线宽度,使得单个芯片可以提供较大的存储容量,同时FBGA封装形式确保了芯片在高频率工作下的稳定性和可靠性。
该芯片还支持多种低功耗模式,包括自刷新和深度掉电模式,使其在不同使用场景下能够灵活调节功耗,延长设备续航时间。另外,H9CKNNNDATMTDR-NUHR的温度范围为0°C至85°C,适用于工业级和商业级应用场景,确保在不同环境条件下都能稳定运行。
H9CKNNNDATMTDR-NUHR广泛应用于多种高性能计算和存储设备中。在服务器和工作站领域,它为系统提供高速内存支持,确保大规模数据处理的流畅性。在图形处理单元(GPU)和高性能计算(HPC)设备中,该芯片的高速数据传输能力能够显著提升图形渲染和科学计算的效率。此外,它还被用于高端智能手机、平板电脑和嵌入式系统,提供强大的内存支持,满足现代应用对内存容量和速度的高要求。
H9CKNNNDATMMDR-NUHR, H9CKNNNDAWMMDR-NUHR, H9CKNNNDAUMTFR-NUHR