UMK325B7475MN-TR是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等场景。该器件采用了先进的制造工艺,能够提供低导通电阻和快速开关速度,从而降低功耗并提升系统效率。
该MOSFET为N沟道增强型器件,通常用于电流控制或电子开关功能。其封装形式为TO-263(D2PAK),适合表面贴装技术(SMT),具有良好的散热性能。
最大漏源电压:75V
最大栅源电压:±20V
连续漏极电流:47A
导通电阻(典型值):4.5mΩ
栅极电荷:85nC
开关时间:开启延迟时间 39ns,上升时间 13ns,关断传播时间 22ns,下降时间 8ns
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
热阻(结到外壳):1°C/W
UMK325B7475MN-TR的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻,可显著降低导通损耗,提高整体能效。
2. 快速开关速度,有助于减少开关损耗,特别适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力,增强了器件在过载条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准,环保且适用于现代电子产品设计。
5. 表面贴装封装,便于自动化生产,提高了装配效率。
6. 良好的热性能,确保在高功率应用中保持稳定运行。
该MOSFET广泛应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. DC-DC转换器中的同步整流器。
3. 电机驱动电路中的开关器件。
4. 电池保护和负载切换电路。
5. 各种工业控制设备中的功率管理模块。
6. 汽车电子系统中的高可靠性功率控制组件。
IRFP4468PBF
STP75NF06L
FDP177N06AE
IXYS24N75T
AON6926