类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　最大连续漏极电流(Id)：15A（在25°C环境温度下）
　　导通电阻(Rds(on))：约0.035Ω（最大值，在Vgs=10V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装类型：TO-220
　　功率耗散(Pd)：80W

2SK2611(T)具备多个关键特性以确保其在各种应用中的性能和可靠性。首先，其低导通电阻（Rds(on)）减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其次，该MOSFET的高电流承载能力使其适用于高功率密度设计，能够支持高达15A的连续漏极电流。此外，2SK2611(T)具有良好的热稳定性，能够在高达+150°C的结温下正常工作，适应恶劣的工作环境。
　　器件的栅极设计允许使用±20V的栅源电压，这不仅提高了控制灵活性，还增强了抗干扰能力。其TO-220封装形式提供了优良的散热性能，确保在高负载条件下仍能保持较低的工作温度。同时，该封装形式也便于安装和散热片的连接，适合在各种工业和消费类电子设备中使用。
　　此外，2SK2611(T)的快速开关特性减少了开关损耗，提高了整体系统的效率。它广泛应用于电源管理、电池供电设备、DC-DC转换器、负载开关和马达控制等领域，满足多种设计需求。

2SK2611(T)主要用于需要高效能功率管理的电路中。典型应用包括DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、马达控制电路以及工业自动化设备中的功率开关。其高电流和电压承受能力使其成为高功率密度设计的理想选择。此外，该MOSFET也可用于音频放大器的功率输出级、电源供应器和不间断电源（UPS）等应用。

2SK2611(T)的替代型号包括IRFZ44N、Si4410BDY和FDP6670。这些MOSFET在性能和参数上与2SK2611(T)相近，适用于相似的应用场景。