MWI225-12E9 时间：2025/8/6 8:45:42 阅读：36

MWI225-12E9 是一款由 Microsemi（现为 Microchip Technology）生产的绝缘栅双极晶体管（IGBT），适用于高功率电子应用。该器件结合了 MOSFET 的高输入阻抗和双极型晶体管的低导通压降的优点，使其在高频开关和大功率应用中表现出色。MWI225-12E9 采用先进的 IGBT 技术制造，具有出色的热稳定性和可靠性，适用于各种电力电子设备。

参数

类型：IGBT
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　最大集电极电流（IC）：225A
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：模块
　　导通压降（VCE_sat）：约 2.1V（典型值）
　　短路耐受能力：5μs（最大）
　　最大工作频率：50kHz（典型）
　　热阻（Rth）：0.26°C/W（典型值）

特性

MWI225-12E9 具有多个关键特性，使其在高性能功率转换系统中表现出色。首先，其高耐压能力（1200V）使其适用于高电压应用，如工业电机驱动和不间断电源系统。其次，该 IGBT 的高电流承载能力（225A）使其能够在高功率负载下稳定运行。此外，该器件的低导通压降（VCE_sat）有助于降低导通损耗，提高整体系统效率。MWI225-12E9 还具备良好的热稳定性，能够在高温环境下保持性能稳定，并且具有较强的短路耐受能力，可在短时间内承受过载而不损坏。其模块化封装设计不仅便于散热，还简化了安装和维护过程，提高了系统的可靠性。

应用

MWI225-12E9 主要用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子系统。典型应用包括变频器、工业电机驱动、电焊机、不间断电源（UPS）、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、电动汽车充电设备以及电力传输与分配系统。由于其优异的开关特性和高耐压能力，该 IGBT 也适用于高频开关应用，如感应加热和高功率 DC-AC 转换器。