TOLC-115-32-S-Q-A 是一款高精度陶瓷电容器,采用多层陶瓷工艺制造,具有低ESL(等效串联电感)和低ESR(等效串联电阻)的特性。该型号适用于高频滤波、信号耦合以及电源去耦等场景,广泛应用于通信设备、工业控制和消费类电子产品中。
其外壳设计紧凑,适合高密度电路板布局,并具备优异的温度稳定性和耐久性。
容量:115pF
额定电压:32V
封装类型:0805
耐压等级:50V
温度系数:NPO
工作温度范围:-55℃ 至 +125℃
尺寸:2.0mm x 1.25mm
TOLC-115-32-S-Q-A 的主要特性包括:
1. 高稳定性:采用NPO介质材料,确保在宽温范围内保持稳定的电容值。
2. 小型化设计:紧凑的0805封装使其非常适合现代电子设备对空间的需求。
3. 高频性能优越:低ESL和ESR特性使其在高频应用中表现出色,能够有效抑制噪声干扰。
4. 可靠性高:通过严格的筛选和测试流程,保证产品在各种环境下的长期可靠性。
5. 环保合规:符合RoHS标准,不含任何有害物质。
TOLC-115-32-S-Q-A 常用于以下应用场景:
1. 高频滤波器:在射频和微波电路中用作滤波元件,去除不必要的高频噪声。
2. 信号耦合:用于音频和视频信号传输中的耦合与隔离。
3. 电源去耦:为敏感电路提供稳定的电源,减少电源波动对系统的影响。
4. 振荡电路:作为定时元件或反馈元件,在振荡器中使用。
5. 工业自动化设备:用于数据采集模块和传感器接口中的信号调理。
TOLC-115-32-S-Q-B
TOLC-115-32-S-R-A
GRM188R71H115JA01D