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GA1210Y683JBAAT31G 发布时间 时间:2025/5/30 17:07:15 查看 阅读:9

GA1210Y683JBAAT31G 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器等领域。该芯片采用先进的制造工艺,在提供高效能的同时,确保了出色的可靠性和稳定性。
  这款功率 MOSFET 具有低导通电阻和快速开关特性,能够显著降低功率损耗并提高系统效率。其封装形式为行业标准封装,便于设计和安装。

参数

型号:GA1210Y683JBAAT31G
  类型:N-Channel MOSFET
  电压(Vds):120 V
  电流(Id):31 A
  导通电阻(Rds(on)):4.5 mΩ
  栅极电荷(Qg):70 nC
  功耗:360 W
  工作温度范围:-55°C 至 +175°C

特性

GA1210Y683JBAAT31G 的主要特性包括以下几点:
  1. 极低的导通电阻,有效减少传导损耗,提升系统效率。
  2. 快速开关性能,适合高频应用环境。
  3. 高击穿电压能力,能够在高电压条件下稳定运行。
  4. 内置静电保护功能,增强器件的抗干扰能力。
  5. 符合 RoHS 标准,绿色环保设计。
  6. 支持大电流输出,满足多种功率应用场景的需求。
  7. 优秀的热性能表现,有助于延长使用寿命。
  这些特点使得 GA1210Y683JBAAT31G 成为需要高效、可靠功率管理方案的理想选择。

应用

GA1210Y683JBAAT31G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源 (SMPS),用于高效能量转换。
  2. DC-DC 转换器,支持各种电压调节需求。
  3. 电机驱动控制,适用于家用电器、工业设备等场景。
  4. 电动工具中的功率输出级,提供强劲动力。
  5. 太阳能逆变器,助力可再生能源利用。
  6. 通信电源系统,保证稳定的电力供应。
  7. 汽车电子设备,如车载充电器和电动车控制器。
  凭借其卓越的性能,GA1210Y683JBAAT31G 在众多行业中得到了广泛应用。

替代型号

IRFZ44N
  STP36NF06L
  FDP5800
  IXYS20N120T2

GA1210Y683JBAAT31G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格在售
  • 系列GA
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 电容0.068 μF
  • 容差±5%
  • 电压 - 额定50V
  • 温度系数X7R
  • 工作温度-55°C ~ 150°C
  • 特性-
  • 等级AEC-Q200
  • 应用汽车级
  • 故障率-
  • 安装类型表面贴装,MLCC
  • 封装/外壳1210(3225 公制)
  • 大小 / 尺寸0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
  • 高度 - 安装(最大值)-
  • 厚度(最大值)0.076"(1.94mm)
  • 引线间距-
  • 引线样式-