TAT7427B-T1 时间：2025/8/16 5:29:48 阅读：8

TAT7427B-T1 是一款由 Diodes 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于电源管理和负载开关等应用。该器件采用小型 SOT-26 封装，适用于便携式电子设备、DC/DC 转换器、电池管理系统以及其他需要高效、低导通电阻和小尺寸封装的场合。TAT7427B-T1 设计用于在低电压条件下提供高效率和高性能，具有较低的导通电阻（RDS(on)）和良好的热稳定性。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）：4A
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 55mΩ @ VGS = 4.5V
　　导通电阻（RDS(on)）：最大 80mΩ @ VGS = 2.5V
　　功耗（PD）：1.5W
　　工作温度范围：-55°C ~ 150°C
　　封装类型：SOT-26

特性

TAT7427B-T1 MOSFET 的核心特性之一是其低导通电阻（RDS(on)），这使得在高电流条件下仍能保持较低的导通损耗，从而提高系统效率。该器件在 VGS = 4.5V 下 RDS(on) 最大为 55mΩ，在 VGS = 2.5V 下则为 80mΩ，这种低 RDS(on) 特性使其适用于电池供电设备中的负载开关和 DC/DC 转换器。
　　该 MOSFET 采用先进的沟槽技术，提供了良好的热性能和高电流能力，同时保持了较小的封装尺寸。SOT-26 封装不仅节省空间，而且具有良好的散热性能，适合高密度 PCB 设计。
　　TAT7427B-T1 还具备良好的栅极氧化层稳定性和抗静电能力，确保了在各种工作条件下的可靠性和稳定性。其 ±12V 的栅极电压耐受能力允许在多种驱动条件下使用，而不必担心栅极损坏。
　　此外，该器件的连续漏极电流能力为 4A，适用于中等功率的负载切换应用。1.5W 的功耗指标也使其在工作时不会产生过多热量，适合无风扇设计或低功耗系统。

应用

TAT7427B-T1 主要应用于便携式电子产品，如智能手机、平板电脑和可穿戴设备，作为负载开关或电源管理器件使用。此外，它还广泛用于电池管理系统（BMS）、DC/DC 转换器、电源适配器、USB 电源开关、电机驱动器和 LED 驱动电路等场景。
　　由于其低导通电阻和高效率特性，TAT7427B-T1 也常用于同步整流器和开关电源（SMPS）中的功率开关。在汽车电子领域，该器件可用于车载充电器、车身控制模块和车载娱乐系统中的电源管理部分。
　　在工业控制和自动化系统中，TAT7427B-T1 可用于继电器替代、电机控制和传感器电源管理等应用，其高可靠性和小尺寸封装特别适合空间受限的设计。