2N5878 时间：2025/7/29 12:24:57 阅读：25

2N5878是一种N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于需要高效率和高可靠性的电源管理系统中。该器件采用TO-220封装，具有低导通电阻、高电流承载能力和良好的热稳定性，适用于开关电源、DC-DC转换器、电机控制和负载开关等多种应用场景。2N5878的设计使其能够在较高的频率下工作，同时保持较低的开关损耗，是一款性能稳定、应用广泛的功率MOSFET。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　漏源电压（VDS）：60V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：10A
　　脉冲漏极电流（IDM）：35A
　　导通电阻（RDS(on)）：0.35Ω（最大）
　　功耗（PD）：60W
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　封装形式：TO-220

特性

2N5878具备多项优良特性，适用于多种功率电子应用。
　　首先，其导通电阻较低，典型值为0.35Ω，这有助于降低导通损耗，提高系统效率，尤其适用于高电流应用场景。同时，该器件的漏源击穿电压为60V，栅源电压耐受范围为±20V，确保了在不同工作条件下的稳定性和可靠性。
　　其次，2N5878具有较高的连续漏极电流能力，可达10A，同时脉冲漏极电流可高达35A，使其能够应对瞬时高负载需求，适用于如电机启动、电源开关等需要瞬间大电流的场合。
　　此外，该MOSFET采用TO-220封装，具备良好的散热能力，能够在较高功率下稳定工作。封装形式也便于安装和散热片的连接，提升了器件在高功率应用中的适用性。
　　最后，2N5878的工作温度范围较宽，从-55°C至+150°C，适用于各种恶劣环境条件下的电子设备，如工业控制系统、车载电子设备和户外电源设备等。

应用

2N5878广泛应用于多种功率电子设备中，适用于多个领域的电路设计。
　　在电源管理领域，2N5878常用于开关电源（SMPS）中的主开关元件，能够有效提高电源转换效率并减少发热。其低导通电阻和高电流能力使其适用于DC-DC转换器，特别是在升压（Boost）和降压（Buck）拓扑结构中，以提高系统稳定性和效率。
　　在电机控制方面，2N5878可用于H桥驱动电路中的功率开关，适用于小型电机的控制和驱动，例如在机器人、电动工具和自动化设备中。
　　此外，2N5878还可用于负载开关电路，例如LED驱动、继电器驱动和电池管理系统中的开关控制。其高可靠性和良好的热稳定性使其适用于车载电子系统和工业控制系统。
　　在嵌入式系统中，2N5878也常用于电源切换、电压调节和负载管理，例如在单片机或FPGA的外围电路中作为功率开关使用。