2SK3273 时间：2025/8/9 17:43:29 阅读：32

2SK3273是一款N沟道功率场效应晶体管（MOSFET），由东芝公司生产。这款晶体管专为高电压和高电流应用设计，广泛应用于电源管理、电机控制、DC-DC转换器以及各种工业设备中。作为功率MOSFET，2SK3273具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，提高系统的整体效率。该器件采用TO-220封装形式，具备良好的散热性能，适用于需要高可靠性和稳定性的应用场合。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏极-源极电压（VDS）：900V
　　栅极-源极电压（VGS）：±30V
　　连续漏极电流（ID）：11A（在TC=25℃时）
　　功耗（PD）：150W
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃
　　导通电阻（RDS(on)）：0.65Ω（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：76nC（典型值）
　　输入电容（Ciss）：1250pF（典型值）
　　封装形式：TO-220

特性

2SK3273的主要特性包括高耐压能力（VDS高达900V），适合高电压电源应用；低导通电阻（RDS(on)最大为0.65Ω），有助于减少导通损耗，提高能效；具备良好的热稳定性和高功率耗散能力，能够在高负载条件下稳定工作。此外，该器件具有快速开关特性，栅极电荷（Qg）仅为76nC，降低了开关损耗，提高了系统效率。2SK3273的TO-220封装设计提供了良好的散热性能，适合需要长时间稳定运行的应用场景。该MOSFET还具备较高的抗雪崩能力，能够在极端工作条件下保持可靠性。此外，其高栅极阈值电压稳定性使得该器件在复杂的电气环境中具备更强的抗干扰能力。

应用

2SK3273广泛应用于多种高电压和高功率场景，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机驱动器、逆变器、工业自动化设备以及各种电源管理系统。此外，它也常用于LED照明驱动电路、电池充电器以及家用电器中的功率控制模块。由于其高耐压和低导通电阻特性，2SK3273在太阳能逆变器和电动车电源管理系统中也有广泛应用。同时，该器件适用于需要快速开关和高效能表现的电源控制场合。