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LESD11D50CT5G 发布时间 时间:2025/8/13 8:26:06 查看 阅读:15

LESD11D50CT5G 是一款由 ON Semiconductor 生产的双路瞬态电压抑制器(TVS)二极管阵列,专为保护敏感的电子电路免受静电放电(ESD)、浪涌和其他瞬态电压的损害而设计。该器件采用双路双向配置,非常适合用于高速数据线路、通信接口以及其他需要高可靠性和稳定性的应用。LESD11D50CT5G 采用紧凑的 SOT-23-5 封装,便于在空间受限的设计中使用,并具有低钳位电压和快速响应时间,确保对后端电路的有效保护。

参数

类型:双路双向TVS二极管阵列
  工作电压:50V
  峰值脉冲电流(Ipp):11A
  钳位电压(Vc):最大53.3V(在Ipp=11A时)
  反向关态电压(VRWM):50V
  响应时间:小于1ns
  封装:SOT-23-5
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

LESD11D50CT5G 具备多项优异特性,使其成为高性能电路保护的理想选择。
  首先,该器件提供双路双向保护,适用于两条独立的数据线或差分信号线,有效防止因ESD、电快速瞬变脉冲群(EFT)和浪涌引起的损坏。其反向关态电压(VRWM)为50V,确保在正常工作电压下不会干扰电路的运行。
  其次,LESD11D50CT5G 的峰值脉冲电流能力为11A,钳位电压最大为53.3V,能够在瞬态事件发生时迅速将电压限制在安全范围内,从而保护后端元件不受损害。其响应时间小于1ns,具备极快的瞬态响应能力,确保在电压突变发生时立即启动保护机制。
  此外,该器件采用SOT-23-5封装,体积小巧,适合用于高密度PCB布局,并具有良好的热稳定性和可靠性。其工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于工业级和汽车电子应用环境。
  LESD11D50CT5G 还具备低漏电流特性,在正常工作条件下对电路的负载影响极小,同时具有高浪涌承受能力和优异的重复使用稳定性。

应用

LESD11D50CT5G 主要用于需要高可靠性和瞬态保护的电子系统中。常见的应用包括通信设备中的RS-485接口、CAN总线、USB接口、以太网接口、工业自动化控制系统的信号线路、消费类电子产品的数据线保护、汽车电子模块(如车身控制模块、传感器接口等)以及医疗设备中的信号传输线路保护。由于其双路双向结构,该器件特别适合用于保护高速差分信号线路,如USB 2.0、HDMI、LVDS等,确保在复杂电磁环境中数据传输的稳定性。此外,LESD11D50CT5G 也可用于电源线路的次级保护,配合压敏电阻等主保护器件,形成多级保护方案,提高系统的整体可靠性。

替代型号

LESD11D50CT5G 的替代型号包括 Littelfuse 的 SP1003-04ST-B 和 STMicroelectronics 的 ESDALN11D50A。这些型号在电气特性和封装形式上具有相似的性能,适用于需要替换或设计冗余的场景。在选择替代器件时,应确保其VRWM、Ipp和Vc参数满足原设计的要求,并注意封装尺寸和引脚排列是否兼容。

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