TA100W-11 时间：2025/8/3 10:25:36 阅读：34

TA100W-11 是一款由东芝（Toshiba）公司生产的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效率、高速开关性能的电源管理系统中。该器件采用先进的沟槽工艺技术，确保了在高频率工作下的稳定性和效率。TA100W-11 主要设计用于DC-DC转换器、负载开关、电机驱动和电源管理模块等应用，具有良好的热稳定性和过载保护能力。

参数

类型：功率MOSFET
　　漏极-源极电压（Vds）：100V
　　漏极电流（Id）：11A
　　导通电阻（Rds(on)）：典型值为22mΩ（在Vgs=10V时）
　　栅极电荷（Qg）：约23nC
　　封装类型：TO-252（DPAK）
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　最大功耗：2.5W

特性

TA100W-11 采用先进的沟槽结构设计，使其在高频率工作下仍能保持较低的开关损耗，从而提高整体电源效率。其低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流应用中热量的产生被最小化，提高系统的热稳定性和可靠性。
　　此外，TA100W-11 具有良好的短路耐受能力和过载保护功能，适用于需要高可靠性的工业和汽车电子系统。该器件的栅极驱动电压范围较宽，通常在4.5V至20V之间，使其适用于多种栅极驱动电路设计。
　　该MOSFET还具备良好的抗静电能力（ESD保护），防止在操作过程中因静电放电而损坏。封装形式为TO-252（DPAK），便于散热和安装，适用于表面贴装工艺，提高了生产效率和焊接可靠性。
　　TA100W-11 的设计还优化了栅极电荷（Qg）和输出电容（Coss）的平衡，从而在高频开关应用中实现更快的开关速度和更低的开关损耗，适用于各种高效率电源转换器。