时间：2025/7/16 10:33:19
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CDHV2512BF20M0K2500GNF 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于高效率开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动和负载开关等应用。该器件采用先进的制造工艺，具有低导通电阻和快速开关特性，能够显著降低功耗并提升系统性能。
此芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，适用于需要高效能和高可靠性的电子设备中。
最大漏源电压：25V
连续漏极电流：120A
导通电阻：0.5mΩ
栅极电荷：20nC
工作温度范围：-55℃ 至 175℃
封装形式：TO-247
CDHV2512BF20M0K2500GNF 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），可减少传导损耗，提高系统效率。
2. 快速开关速度，降低了开关损耗。
3. 高雪崩能力，增强了器件在异常条件下的耐受能力。
4. 热稳定性优异，能够在宽温度范围内保持一致的性能。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持无铅焊接工艺。
6. 内置 ESD 保护功能，提升了产品的抗静电能力。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 工业级电机驱动与控制。
2. 高效 DC-DC 转换器设计。
3. 大功率负载开关。
4. 新能源汽车中的逆变器模块。
5. 光伏逆变器及储能系统。
6. 各类开关电源（SMPS）解决方案。
CDHV2512BF20M0K2500GPF, IRF250N, FDP18N25
