时间：2025/8/9 9:46:12
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2SK1547-01MR 是一款由东芝（Toshiba）制造的N沟道增强型功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于需要高效、高频率开关特性的场合。该MOSFET封装在小型SOT-23（SC-59）封装中，适用于空间受限的设计。该器件设计用于高频开关应用，例如DC-DC转换器、负载开关和电源管理电路。其低导通电阻（Rds(on)）和快速开关特性使其在便携式电子设备中表现出色。
类型：N沟道增强型MOSFET
漏源电压（Vds）：20V
栅源电压（Vgs）：±8V
连续漏极电流（Id）：100mA（在Vgs=4.5V时）
导通电阻（Rds(on)）：最大3.6Ω（在Vgs=4.5V时）
阈值电压（Vgs(th)）：0.6V至1.5V
功率耗散（Pd）：200mW
工作温度范围：-55°C至150°C
封装：SOT-23（SC-59）
2SK1547-01MR MOSFET具有多项优异的电气和物理特性。其低导通电阻（Rds(on)）确保了在小电流应用中具有最小的功率损耗，从而提高了系统效率。由于其Vds额定值为20V，适合低压电源管理应用，如电池供电设备中的开关和调节电路。
该器件的栅极驱动电压范围为±8V，但其阈值电压较低，通常在0.6V到1.5V之间，这意味着它可以使用低电压控制信号来驱动，适用于由微控制器或低压逻辑电路控制的应用场景。此外，其高速开关能力使得它非常适合用于高频DC-DC转换器和负载开关电路，以减小外部元件的尺寸并提高响应速度。
该MOSFET采用SOT-23小型封装，体积小且易于集成到紧凑型电路中，同时具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作。其额定功率耗散为200mW，能够在有限的散热条件下保持可靠运行。此外，该器件的可靠性高，能够承受一定的过载和瞬态条件，适用于多种消费类和工业类电子产品。
2SK1547-01MR MOSFET主要应用于便携式电子设备中的电源管理和开关控制电路。例如，在智能手机、平板电脑和可穿戴设备中，它可用于电池供电管理、负载开关和电压调节电路，以提高能效并延长电池寿命。
此外，该MOSFET也可用于DC-DC转换器中的高频开关元件，适用于升压（Boost）或降压（Buck）变换器拓扑结构。其低导通电阻和快速开关特性使其在这些应用中能够有效降低功率损耗，提高转换效率。
在工业控制领域，该器件可用于传感器电路、继电器驱动电路和小型电机控制电路。由于其封装小巧且易于焊接，非常适合用于自动化生产中的高密度电路板设计。
此外，该MOSFET还可用于LED驱动电路、信号开关和低功耗逻辑控制电路，适用于多种低电压、低电流的应用场景。
2SK2547, 2SK3018, 2SK2553
