NTNS3A65PZT5G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,专为高频、高效能的应用场景设计。它采用增强型常关(E-Mode)结构,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高电源转换效率并降低热损耗。
该器件适用于多种开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合,可有效提升系统性能并缩小整体尺寸。
型号:NTNS3A65PZT5G
类型:GaN 功率晶体管
Vds(漏源电压):650V
Rds(on)(导通电阻):160mΩ
Id(连续漏极电流):8A
Qg(栅极电荷):40nC
Ciss(输入电容):2070pF
fsw(最大开关频率):5MHz
封装形式:TO-252 (DPAK)
NTNS3A65PZT5G 的主要特性包括:
1. 使用先进的氮化镓材料制造,提供比传统硅基MOSFET更高的效率和更低的损耗。
2. 极低的导通电阻确保在高负载条件下保持较低的功耗。
3. 高速开关能力使其非常适合高频应用场景,例如 LLC 谐振转换器或硬开关拓扑。
4. 增强型常关结构简化了驱动电路设计,并提高了系统的可靠性和安全性。
5. 具有出色的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
6. 支持高达 650V 的漏源电压,满足多种高压应用需求。
NTNS3A65PZT5G 广泛应用于以下领域:
1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
2. DC-DC 转换器,用于工业设备和通信基站。
3. 电机驱动及控制,特别是在高性能伺服系统中。
4. 太阳能逆变器,助力绿色能源解决方案。
5. 电动汽车车载充电器和牵引逆变器。
6. 快速充电设备,支持更高功率密度的设计。
NTR21650N, GAN063-650WSA