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NTNS3A65PZT5G 发布时间 时间:2025/6/6 16:46:45 查看 阅读:21

NTNS3A65PZT5G 是一款基于氮化镓(GaN)技术的功率晶体管,专为高频、高效能的应用场景设计。它采用增强型常关(E-Mode)结构,具有低导通电阻和快速开关速度的特点,能够显著提高电源转换效率并降低热损耗。
  该器件适用于多种开关模式电源(SMPS)、DC-DC转换器以及电机驱动等应用场合,可有效提升系统性能并缩小整体尺寸。

参数

型号:NTNS3A65PZT5G
  类型:GaN 功率晶体管
  Vds(漏源电压):650V
  Rds(on)(导通电阻):160mΩ
  Id(连续漏极电流):8A
  Qg(栅极电荷):40nC
  Ciss(输入电容):2070pF
  fsw(最大开关频率):5MHz
  封装形式:TO-252 (DPAK)

特性

NTNS3A65PZT5G 的主要特性包括:
  1. 使用先进的氮化镓材料制造,提供比传统硅基MOSFET更高的效率和更低的损耗。
  2. 极低的导通电阻确保在高负载条件下保持较低的功耗。
  3. 高速开关能力使其非常适合高频应用场景,例如 LLC 谐振转换器或硬开关拓扑。
  4. 增强型常关结构简化了驱动电路设计,并提高了系统的可靠性和安全性。
  5. 具有出色的热性能,能够在高温环境下稳定运行。
  6. 支持高达 650V 的漏源电压,满足多种高压应用需求。

应用

NTNS3A65PZT5G 广泛应用于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS),如适配器、充电器等。
  2. DC-DC 转换器,用于工业设备和通信基站。
  3. 电机驱动及控制,特别是在高性能伺服系统中。
  4. 太阳能逆变器,助力绿色能源解决方案。
  5. 电动汽车车载充电器和牵引逆变器。
  6. 快速充电设备,支持更高功率密度的设计。

替代型号

NTR21650N, GAN063-650WSA

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NTNS3A65PZT5G参数

  • 现有数量0现货
  • 价格停产
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态停产
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)20 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)281mA(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)1.5V,4.5V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)1.3 欧姆 @ 200mA,4.5V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)1V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)1.1 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±8V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)44 pF @ 10 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)155mW(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
  • 封装/外壳3-XFDFN