时间：2025/8/6 11:17:42
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IXFN82N60Q3 是一款由 Littelfuse（原 International Rectifier）制造的高功率 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于高功率开关应用，如电源、逆变器和电机控制。该器件采用先进的平面技术，具有低导通电阻和高效率的特点。
类型：N 沟道 MOSFET
最大漏极电流：82A
最大漏极-源极电压：600V
栅极-源极电压：±20V
导通电阻（RDS(on)）：0.12Ω
功率耗散：200W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-247AC
IXFN82N60Q3 具备出色的电气性能和热管理能力，其低导通电阻（RDS(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该器件的高耐压能力（600V）使其适用于高电压开关应用，如开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和工业电机控制。
此外，该 MOSFET 采用了先进的平面工艺，确保了在高电流和高电压条件下的稳定运行。其封装形式为 TO-247AC，具有良好的散热性能，便于安装在散热器上。
IXFN82N60Q3 还具有快速开关特性，能够有效减少开关损耗，适用于高频开关环境。其栅极驱动电压范围较宽（±20V），兼容多种驱动电路设计，提高了设计的灵活性。此外，该器件具备较高的抗雪崩能力和过载能力，能够在极端工况下保持稳定运行，提高了系统的可靠性。
IXFN82N60Q3 广泛应用于高功率开关电源（如服务器电源、工业电源）、电机驱动系统、DC-AC 逆变器（如太阳能逆变器、UPS 系统）、电池管理系统和高频功率转换设备。其优异的电气特性和热性能使其成为高性能电源设计的理想选择。
IXFH82N60Q2, IXFN90N60Q2, STF90N60DM2, FCP82N60
