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MUN5112DW1T1G 发布时间 时间：2023/3/31 10:55:55 查看 阅读：463

制造商: ON Semiconductor
产品种类: 数字晶体管

目录

概述

制造商：ON Semiconductor

产品种类：数字晶体管

配置：Dual

晶体管极性：PNP

典型输入电阻器：22 KOhm

典型电阻器比率：1

封装 / 箱体：SC-70-6

直流电流增益 hFE 最小值：60 @ 5 mA @ 10 V

集电极—发射极最大电压 VCEO：50 V

集电极连续电流：- 0.1 A

峰值直流集电极电流：100 mA

功率耗散：250 mW

最大工作温度：+ 150℃

封装：Reel

最小工作温度：- 55℃

安装风格：SMD/SMT

资料

厂商
ON Semiconductor

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MUN5112DW1T1G参数

  • 标准包装3,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭晶体管(BJT) - 阵列﹐预偏压式
  • 系列-
  • 晶体管类型2 个 PNP 预偏压式（双）
  • 电流 - 集电极 (Ic)（最大）100mA
  • 电压 - 集电极发射极击穿（最大）50V
  • 电阻器 - 基极 (R1)（欧）22k
  • 电阻器 - 发射极 (R2)（欧）22k
  • 在某 Ic、Vce 时的最小直流电流增益 (hFE)60 @ 5mA，10V
  • Ib、Ic条件下的Vce饱和度（最大）250mV @ 300µA，10mA
  • 电流 - 集电极截止（最大）500nA
  • 频率 - 转换-
  • 功率 - 最大250mW
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳6-TSSOP，SC-88，SOT-363
  • 供应商设备封装SOT-363
  • 包装带卷 (TR)

IC型号索引： A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 

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