类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：100 V
　　最大漏极电流（Id）：10 A（在 25°C 时）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 0.25 Ω（在 Vgs = 10 V 时）
　　栅极阈值电压（Vgs(th)）：1 V 至 2.5 V
　　最大功耗（Ptot）：1.25 W
　　封装类型：DIP-8（双列直插式封装）
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C

SMP210BNI 采用了先进的沟槽栅技术，以降低导通电阻并提高开关速度，从而减少功率损耗并提高系统效率。
　　该器件的低 Rds(on) 特性使其在高电流应用中表现出色，减少了导通损耗并降低了发热。
　　其 DIP-8 封装形式适用于通孔插装（Through-Hole）工艺，便于在多种 PCB 设计中使用，并提供良好的散热性能。
　　该 MOSFET 具有较高的热稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内稳定工作，适合工业级应用需求。
　　由于其快速的开关特性，SMP210BNI 可用于高频开关应用，如 PWM 控制器和 DC-DC 升压/降压转换器。
　　此外，SMP210BNI 还具备良好的抗静电能力和过载保护能力，提高了器件在恶劣环境下的耐用性。

SMP210BNI 常用于开关电源（SMPS）中的功率开关元件，特别是在低电压 DC-DC 转换器中作为主开关使用。
　　该器件也广泛应用于电机驱动电路、LED 照明调光控制、电池管理系统（BMS）以及各种负载开关设计中。
　　由于其具备较高的电流承载能力和良好的热性能，SMP210BNI 也适用于工业自动化控制系统和嵌入式设备的电源管理模块。
　　在消费类电子产品中，如智能家电、便携式设备和电源适配器中，SMP210BNI 也常被用于高效能功率控制电路中。

IRF540N, FDPF6N60, 2N6764, FQP10N10