RV221K05T 时间：2025/12/28 19:54:33 阅读：14

RV221K05T 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于电源管理、DC-DC 转换器、负载开关以及电池供电设备中。该器件采用高性能硅技术，提供低导通电阻（Rds(on)），从而减少功率损耗并提高系统效率。其封装形式为小型表面贴装封装（SOT-23），适合高密度 PCB 设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：20V
　　栅源电压（Vgs）：±12V
　　连续漏极电流（Id）：100mA（@ Ta=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 5Ω（@ Vgs=4.5V）
　　阈值电压（Vgs(th)）：1.0V ~ 2.5V
　　功耗（Pd）：200mW
　　工作温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　存储温度范围：-55℃ ~ +150℃
　　封装形式：SOT-23

特性

RV221K05T 具备多项优良特性，适用于低功耗和高效率的便携式电子设备设计。其低导通电阻（Rds(on)）有助于降低导通损耗，提高系统能效。该 MOSFET 的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 4.5V 的逻辑电平控制，使其兼容多种控制芯片和微控制器。
　　此外，该器件具有良好的热稳定性和较高的可靠性，适用于多种电源管理应用场景。SOT-23 封装不仅节省空间，而且便于自动化生产和回流焊工艺，提高了 PCB 布局的灵活性。
　　RV221K05T 的阈值电压范围适中，确保在不同工作条件下能够稳定导通或截止。其快速开关特性也有助于减少开关损耗，提高整体系统性能。该器件还具备一定的抗静电能力，增强了在复杂电磁环境中的稳定性。

应用

RV221K05T 主要用于便携式电子产品中的电源管理电路，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备等。其典型应用包括 DC-DC 升压/降压转换器、负载开关、电池保护电路、LED 驱动器以及逻辑电平转换电路。
　　由于其低功耗和小尺寸特性，RV221K05T 也常用于传感器接口电路、微控制器外围控制电路以及各种低电压、低电流的开关应用。在无线通信模块中，它也可作为射频前端电源控制开关，实现对不同模块的供电管理。
　　此外，该 MOSFET 可用于构建同步整流电路、电源多路复用器以及各种低边开关电路，适用于需要高效能和小型化设计的电子系统。