类型：双路 N 沟道 MOSFET
　　漏源电压 Vds：20V
　　栅源电压 Vgs：±12V
　　连续漏极电流 Id（@25°C）：4.4A
　　导通电阻 Rds(on)：58mΩ（@Vgs=4.5V）
　　栅极电荷 Qg：8.5nC
　　工作温度：-55°C ~ 150°C
　　封装：SOP-8

DMF2826 是一款高性能 MOSFET，具有低导通电阻和高开关速度的特性。其导通电阻在 Vgs=4.5V 时仅为 58mΩ，这有助于减少导通损耗，提高电源转换效率。此外，该器件的栅极电荷较低（Qg=8.5nC），使得开关速度更快，从而降低了开关损耗，适用于高频开关应用。DMF2826 采用 SOP-8 封装，具有良好的散热性能，能够在高电流条件下稳定工作。
　　该器件还具有较高的热稳定性，能够在高温环境下可靠运行，适合用于紧凑型设计中的功率管理。其双路 N 沟道结构允许在单个封装中实现两个独立的 MOSFET，节省 PCB 空间并简化设计。DMF2826 的栅极驱动电压范围较宽，支持 1.8V 至 4.5V 的栅极驱动电压，兼容多种控制器和驱动器 IC。
　　此外，DMF2826 在制造过程中采用了先进的沟槽技术，提高了器件的耐压能力和稳定性，同时降低了导通电阻。该器件还具备良好的抗静电能力和较高的可靠性，适用于工业、消费类和汽车电子等多种应用场景。

DMF2826 主要用于需要高效能、小体积 MOSFET 的场合。常见应用包括同步整流器、DC-DC 转换器、LED 驱动器、负载开关、电池管理系统、马达驱动器、电源管理单元以及便携式设备中的功率控制电路。此外，该器件也广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑、无线路由器等设备的电源管理系统中。

Si2302DS, BSS138, FDN304P, AO4406A