SI4828DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 Vishay 的最新技术,旨在提供卓越的开关性能和低导通电阻,适用于多种功率转换应用。其设计注重效率和散热性能,能够在高频率和高电流条件下保持稳定运行。
SI4828DY-T1-E3 使用了 Vishay 的 TrenchFET 第四代技术,从而实现了极低的导通电阻和栅极电荷,使其非常适合要求高效能和快速开关的应用场景。
最大漏源电压:60V
最大连续漏电流:79A
导通电阻(典型值):1.5mΩ
栅极电荷:45nC
工作温度范围:-55℃ 至 +175℃
封装类型:TO-247
SI4828DY-T1-E3 的主要特性包括:
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)),有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 采用 Vishay TrenchFET 第四代技术,具备更优的开关性能。
3. 高额定电流能力,可满足大功率应用的需求。
4. 耐高温设计,支持高达 +175℃ 的结温操作。
5. 快速开关速度,适合高频功率转换应用。
6. 符合 RoHS 标准,环保且安全。
该芯片广泛应用于以下领域:
1. 电机驱动电路中的功率控制。
2. DC-DC 转换器,用于提升电源系统的效率。
3. 开关电源 (SMPS),特别是高性能工业电源。
4. 太阳能逆变器和 UPS 系统。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS)。
6. 工业自动化设备中的负载切换功能。
SI4832DY, SI4822DY, IRFB4110TRPBF