时间：2025/6/3 14:28:34
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SI4828DY-T1-E3 是一款由 Vishay 提供的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用了 Vishay 的最新技术，旨在提供卓越的开关性能和低导通电阻，适用于多种功率转换应用。其设计注重效率和散热性能，能够在高频率和高电流条件下保持稳定运行。
SI4828DY-T1-E3 使用了 Vishay 的 TrenchFET 第四代技术，从而实现了极低的导通电阻和栅极电荷，使其非常适合要求高效能和快速开关的应用场景。
最大漏源电压：60V
最大连续漏电流：79A
导通电阻（典型值）：1.5mΩ
栅极电荷：45nC
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-247
SI4828DY-T1-E3 的主要特性包括：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，有助于减少传导损耗并提高系统效率。
2. 采用 Vishay TrenchFET 第四代技术，具备更优的开关性能。
3. 高额定电流能力，可满足大功率应用的需求。
4. 耐高温设计，支持高达 +175℃ 的结温操作。
5. 快速开关速度，适合高频功率转换应用。
6. 符合 RoHS 标准，环保且安全。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 电机驱动电路中的功率控制。
2. DC-DC 转换器，用于提升电源系统的效率。
3. 开关电源 (SMPS)，特别是高性能工业电源。
4. 太阳能逆变器和 UPS 系统。
5. 电动汽车和混合动力汽车中的电池管理系统 (BMS)。
6. 工业自动化设备中的负载切换功能。
SI4832DY, SI4822DY, IRFB4110TRPBF
