时间：2025/6/29 22:21:24
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SDP117HVNMD 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）制造的高性能 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于需要高效率和低导通电阻的电源管理系统。该器件采用了先进的技术，确保了在高频开关应用中的卓越性能，并且具有良好的热稳定性和耐用性。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：110A
最大漏源电压（VDS）：100V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：典型值为 1.7mΩ @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6
SDP117HVNMD 的核心特性之一是其极低的导通电阻（RDS(on)），这使得它在高电流条件下能够保持较低的功耗，提高整体系统的效率。
此外，该MOSFET采用了先进的沟槽式结构设计，从而降低了导通电阻并提升了器件的热性能，有助于在高负载下维持稳定的运行。
SDP117HVNMD 还具备较高的雪崩能量承受能力，能够在瞬态过压情况下保护器件免受损坏，提升电路的可靠性。
该器件的栅极驱动电压范围较宽，可在多种控制方案中灵活使用，适用于不同类型的电源拓扑结构，如同步整流、DC-DC转换器等。
另外，SDP117HVNMD 封装形式为 PowerFLAT 5x6，这是一种小型化的表面贴装封装，便于自动化生产和高效的PCB布局。
SDP117HVNMD 广泛应用于各类电力电子设备中，包括但不限于以下领域：
- 高效 DC-DC 转换器与同步整流模块
- 服务器和电信电源系统
- 电动车辆和电池管理系统（BMS）
- 工业自动化设备与电机驱动器
- 太阳能逆变器和其他可再生能源系统
由于其优异的电气特性和紧凑的封装尺寸，SDP117HVNMD 特别适合用于需要高功率密度和高效能比的设计场景。
IPD90N10S4-03, STD110N10F7
