DMT3006LFV-7是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的TrenchFET技术制造。该器件以其高性能和小型化设计广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器和电池供电设备中。DMT3006LFV-7采用了无铅环保封装技术,符合RoHS标准,适用于现代电子设备对环保和高效能的严格要求。
类型:P沟道MOSFET
漏源电压(Vds):-30V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):-6A
导通电阻(Rds(on)):28mΩ @ Vgs = -10V;40mΩ @ Vgs = -4.5V
功率耗散:2.5W
工作温度范围:-55°C 至 150°C
封装类型:SOT-223
DMT3006LFV-7具备低导通电阻的特点,这使其在高电流应用中能够实现较低的功率损耗,提高系统效率。该器件的P沟道结构使其非常适合用于高边开关应用,例如在电源管理系统中作为负载开关使用。此外,DMT3006LFV-7采用了先进的TrenchFET技术,这不仅提升了器件的导通性能,还缩小了封装尺寸,使得设计更加紧凑。
这款MOSFET具有良好的热性能,SOT-223封装形式提供了优异的散热能力,确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。DMT3006LFV-7支持多种栅极驱动电压,包括-10V和-4.5V,这使得它能够兼容不同的驱动电路设计。此外,其±20V的栅源电压耐受能力为设计提供了更大的灵活性,并提高了器件在高电压应力环境下的可靠性。
DMT3006LFV-7适用于多种电子设备和系统,特别是在需要高效能、低功耗和紧凑设计的应用中。其典型应用包括电源管理系统中的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流器、电池供电设备中的电源控制、以及各种便携式电子产品中的功率管理电路。此外,该器件还可用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中,作为高边或低边开关使用,提供可靠的功率控制解决方案。
Si4435BDY, IRML6401, FDC640P