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DMT3006LFV-7 发布时间 时间:2025/8/2 6:26:36 查看 阅读:33

DMT3006LFV-7是一款由Diodes公司生产的P沟道增强型MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),采用先进的TrenchFET技术制造。该器件以其高性能和小型化设计广泛应用于电源管理、负载开关、DC-DC转换器和电池供电设备中。DMT3006LFV-7采用了无铅环保封装技术,符合RoHS标准,适用于现代电子设备对环保和高效能的严格要求。

参数

类型:P沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):-30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):-6A
  导通电阻(Rds(on)):28mΩ @ Vgs = -10V;40mΩ @ Vgs = -4.5V
  功率耗散:2.5W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:SOT-223

特性

DMT3006LFV-7具备低导通电阻的特点,这使其在高电流应用中能够实现较低的功率损耗,提高系统效率。该器件的P沟道结构使其非常适合用于高边开关应用,例如在电源管理系统中作为负载开关使用。此外,DMT3006LFV-7采用了先进的TrenchFET技术,这不仅提升了器件的导通性能,还缩小了封装尺寸,使得设计更加紧凑。
  这款MOSFET具有良好的热性能,SOT-223封装形式提供了优异的散热能力,确保在高电流工作条件下仍能保持稳定运行。DMT3006LFV-7支持多种栅极驱动电压,包括-10V和-4.5V,这使得它能够兼容不同的驱动电路设计。此外,其±20V的栅源电压耐受能力为设计提供了更大的灵活性,并提高了器件在高电压应力环境下的可靠性。

应用

DMT3006LFV-7适用于多种电子设备和系统,特别是在需要高效能、低功耗和紧凑设计的应用中。其典型应用包括电源管理系统中的负载开关、DC-DC转换器中的同步整流器、电池供电设备中的电源控制、以及各种便携式电子产品中的功率管理电路。此外,该器件还可用于汽车电子系统、工业自动化设备和消费类电子产品中,作为高边或低边开关使用,提供可靠的功率控制解决方案。

替代型号

Si4435BDY, IRML6401, FDC640P

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DMT3006LFV-7参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格2,000 : ¥2.21135卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)60A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)7 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)3V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)8.4 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)1155 pF @ 15 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2W(Ta)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装PowerDI3333-8
  • 封装/外壳8-PowerVDFN