时间：2025/7/12 19:45:56
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CEB60N06G 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，由 ON Semiconductor 公司生产。该器件采用 TO-220 封装形式，广泛应用于各种开关电源、电机驱动、DC-DC 转换器等需要高效开关的场景中。这款 MOSFET 的设计特点包括低导通电阻、高效率和出色的热性能。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：47A
导通电阻：1.8mΩ
栅极电荷：45nC
功耗：135W
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
CEB60N06G 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），仅为 1.8mΩ，有助于降低传导损耗并提高整体效率。
2. 高额定电流，允许其在大电流应用中保持稳定运行。
3. 快速开关速度，得益于较小的栅极电荷，可减少开关损耗。
4. 优化的热阻抗，确保在高温环境下仍能可靠工作。
5. 符合 RoHS 标准，环保且适合现代工业需求。
CEB60N06G 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 中的主开关管。
2. 工业电机控制和驱动系统。
3. DC-DC 转换器的核心开关元件。
4. 太阳能逆变器中的功率转换模块。
) 和负载切换电路。
6. 各类需要高效功率开关的应用场景。
IRFZ44N
STP40NF06L
FDP5500
IXFN40N06T
AO3400
