时间：2025/6/29 12:10:39
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PST803B250NM是一款基于硅技术的高压MOSFET（金属-氧化物-半导体场效应晶体管），专为高功率应用而设计。该器件采用N沟道增强型结构，具有低导通电阻和快速开关特性。其典型应用场景包括开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载切换等。PST803B250NM以其出色的效率和可靠性，成为需要高效能量转换和低损耗性能的理想选择。
最大漏源电压：250V
连续漏极电流：3.6A
栅极阈值电压：2V~4V
导通电阻：1.2Ω（典型值）
开关时间：t_d(on)=25ns, t_r=25ns, t_f=15ns
工作结温范围：-55℃~175℃
PST803B250NM的主要特性包括以下几点：
1. 高击穿电压：能够承受高达250V的漏源电压，适用于高压环境下的各种应用。
2. 低导通电阻：典型值为1.2Ω，有助于降低导通损耗并提高系统效率。
3. 快速开关速度：具备极短的开关延迟时间和上升/下降时间，减少开关损耗。
4. 增强型N沟道设计：仅在正向栅源电压下导通，确保了操作的安全性和稳定性。
5. 良好的热性能：能够在较宽的温度范围内可靠工作，最高结温可达175℃。
6. 小型封装：采用紧凑的表面贴装封装形式，节省PCB空间并简化设计布局。
PST803B250NM适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于：
1. 开关电源（SMPS）：用于主开关管或同步整流电路中。
2. DC-DC转换器：实现高效的直流电压转换功能。
3. 电机驱动：控制各类电机的运行状态，如启动、停止及调速。
4. 负载切换：在多负载系统中实现动态负载管理。
5. 电池保护电路：防止过充、过放以及短路等问题的发生。
6. 工业自动化设备：如可编程逻辑控制器（PLC）、伺服驱动器等中的功率级元件。
PST803B250PM, IRFZ44N, FQP17N25
