时间：2025/5/12 14:09:55
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RGT30NS65DGTL是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的工艺技术制造，具有低导通电阻、快速开关速度和出色的雪崩能力等特性。它广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动以及负载开关等领域。
RGT30NS65DGTL的最大漏源电压为650V，适用于高电压环境下的各种功率转换应用。同时，其紧凑的封装形式有助于节省PCB空间，非常适合对尺寸有严格要求的设计。
最大漏源电压：650V
连续漏极电流：30A
导通电阻：0.18Ω
栅极电荷：29nC
总电容：2470pF
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 极低的导通电阻使得传导损耗显著降低，从而提高了整体效率。
2. 快速开关性能减少了开关损耗，非常适合高频应用。
3. 高雪崩能量能力增强了器件在异常条件下的可靠性。
4. 符合RoHS标准，环保且满足全球法规要求。
5. 优异的热稳定性确保了器件在高温环境下仍能保持高性能。
6. 提供多种保护功能，如过流保护和短路耐受能力。
1. 开关电源（SMPS）
2. DC-DC转换器
3. 电机驱动控制
4. 负载开关
5. PFC（功率因数校正）电路
6. 各类工业和消费电子设备中的功率管理模块
IRF840,
STP30NF65,
FDP30N65S,
IXTH30N65L2
