封装/外壳：0805（2012）
　　电容值：1μF
　　容差：±10%
　　额定电压：50V DC
　　介质材料：X7R 或 X5R
　　工作温度范围：-55°C 至 +125°C
　　温度特性：±15% 电容变化（X7R）或 ±15%（X5R）
　　直流偏压特性：随电压升高电容值下降
　　绝缘电阻：≥1000 MΩ 或 ≥100 MΩ·μF
　　损耗因数（DF）：≤2.5%
　　ESR（等效串联电阻）：低，典型值在数十毫欧至数百毫欧之间
　　安装类型：表面贴装（SMD）
　　端接：镍/锡或无铅兼容电镀
　　符合标准：RoHS、AEC-Q200（视具体厂商而定）

0805X105K500ST所采用的陶瓷介质通常为X7R或X5R材料，这类材料属于二类陶瓷电容器，具有较高的介电常数，能够在小尺寸下实现较大的电容值。X7R介质的温度特性为-55°C至+125°C范围内电容变化不超过±15%，而X5R则为-55°C至+85°C范围内变化±15%。这使得该电容器适用于对温度稳定性有一定要求但不需极高精度的应用场景。
　　该器件在直流偏压下的电容衰减是其重要特性之一。由于高介电常数陶瓷材料的非线性特性，当施加接近额定电压的直流偏置时，实际可用电容值可能显著下降，例如在50V偏压下，1μF的标称电容可能降至60%甚至更低。因此，在电源去耦设计中必须参考厂商提供的DC bias曲线进行选型，以确保在工作电压下仍能满足系统需求。
　　0805X105K500ST具备较低的等效串联电阻（ESR）和等效串联电感（ESL），适合高频去耦应用，能有效抑制噪声并提升电源完整性。其0805封装在尺寸与焊接可靠性之间取得良好平衡，适用于自动化贴片工艺，并能在回流焊过程中保持结构完整。
　　此外，该器件具有良好的长期稳定性、低老化率和优异的抗湿性。在PCB布局中建议采用对称焊盘设计以减少热应力导致的裂纹风险。整体而言，该电容器在性能、尺寸和成本之间实现了优化，是现代电子产品中广泛使用的标准元件之一。

0805X105K500ST主要用于各类电子电路中的去耦和旁路应用，尤其是在微处理器、FPGA、ASIC和数字逻辑芯片的电源引脚附近，用于滤除高频噪声并稳定供电电压。其1μF/50V的参数组合使其特别适用于5V、3.3V或更低电压的电源轨去耦，同时也能在部分12V系统中作为辅助滤波元件使用。
　　在电源管理单元中，该电容器可用于开关电源（SMPS）输出端的滤波，配合电解电容或钽电容形成多级滤波网络，提升输出电压的平滑度。在信号处理电路中，它可作为交流耦合电容，隔离直流分量并传递交流信号，常见于音频放大器、传感器接口和ADC/DAC前端电路。
　　此外，该器件也广泛应用于消费类电子产品如智能手机、平板电脑、智能家居设备以及工业控制板、通信模块（如Wi-Fi、蓝牙模组）和汽车电子控制系统中。由于其符合RoHS标准且具备一定的温度和电压适应能力，适用于多种环境条件下的长期运行。
　　在高速数字系统中，尽管单个0805封装的ESL相对较高，但通过合理布局多个相同或不同容值的MLCC并联，可以构建有效的去耦网络，覆盖从低频到高频的噪声抑制需求。因此，0805X105K500ST在现代PCB设计中扮演着不可或缺的角色。

C1210C105K5RACTU
　　CL10B105KO5NNNC
　　GRM21BR71H105KA01L
　　ECJ-2VB1H105K