时间：2025/8/1 16:31:00
阅读：23
CS100N08B8是一款由COSMO（科仕美）公司生产的N沟道功率MOSFET，适用于多种高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供了较低的导通电阻和优异的开关性能。其封装形式为TO-220，适合在各种电源管理系统、电机驱动和DC-DC转换器中使用。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压(Vds)：100V
连续漏极电流(Id)：80A（Tc=25℃）
导通电阻(Rds(on))：8mΩ（最大值）
栅极电荷(Qg)：60nC（典型值）
工作温度范围：-55℃至175℃
封装形式：TO-220
功率耗散(Pd)：200W
CS100N08B8具有低导通电阻的特点，这使其在高电流应用中能够保持较低的功率损耗，从而提升整体效率。此外，其高电流承载能力和良好的热稳定性使得该器件在严苛的工作环境下依然能够可靠运行。该MOSFET的栅极驱动要求较低，能够与常见的驱动电路兼容，简化了设计和应用过程。由于其采用沟槽式结构，CS100N08B8在开关过程中表现出优异的动态性能，降低了开关损耗并提高了系统效率。此外，其TO-220封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较强的机械强度和耐久性，适用于工业级应用环境。
CS100N08B8广泛应用于各类高功率电子设备中，包括电源适配器、DC-DC转换器、电池管理系统、电机控制电路以及工业自动化设备。在电动车、储能系统和太阳能逆变器等新能源领域，该MOSFET也常用于功率开关和能量管理模块。此外，它还可用于负载开关、过流保护电路和高功率LED驱动电路中，发挥其低损耗和高稳定性的优势。
IRF1404、SiHH80N10、FDP80N10A
