类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：60V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：80A（在25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：最大 2.9mΩ（在 Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55°C 至 150°C
　　封装形式：LFPAK（表面贴装）

S-LTTH806LF 的核心优势在于其极低的导通电阻，这有助于减少导通损耗，提高整体系统效率。该器件采用罗姆专有的沟槽式 MOSFET 结构，优化了电流密度与热性能之间的平衡，从而实现了更高的功率密度。
　　此外，S-LTTH806LF 具备良好的热稳定性，即使在高负载条件下也能保持较低的温升，延长器件寿命并提高系统可靠性。其栅极驱动电压范围宽广（通常在 4V 至 20V 之间），适用于多种驱动器 IC 和控制电路。
　　该 MOSFET 还具有较高的雪崩耐受能力，能够在异常条件下（如负载突变或短路）提供一定的保护功能。LFPAK 封装具有优异的散热性能和机械稳定性，适合在高振动环境中使用，同时支持自动焊接工艺，提高生产效率。
　　从环保角度来看，S-LTTH806LF 符合 RoHS 指令要求，不含铅和其他有害物质，适用于绿色电子产品设计。

S-LTTH806LF 适用于多种高功率和高效率的电子系统，如直流-直流转换器、同步整流器、负载开关、电机控制器和电池管理系统等。在服务器电源、通信设备、工业自动化和汽车电子系统中，该器件被广泛用于实现高效能功率管理。
　　特别是在电动车（如电动自行车、电动汽车）的电池管理系统中，S-LTTH806LF 的高电流承载能力和低导通损耗使其成为理想选择。它还适用于太阳能逆变器、储能系统和不间断电源（UPS）等新能源领域应用。
　　由于其封装形式支持表面贴装技术（SMT），因此非常适合用于大规模生产的自动化组装流程中。

SiSS840DN, IPD90N06S4-03, FDP80N06SL