时间：2025/5/23 15:54:56
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IPP029N06N是一款由Infineon（英飞凌）生产的N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件采用先进的工艺制造，具有低导通电阻和高开关速度的特点，适合用于各种高效能的功率转换应用。其额定电压为60V，广泛应用于消费电子、工业控制和汽车电子领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：29A
导通电阻：1.4mΩ
栅极电荷：35nC
总电容：1280pF
工作结温范围：-55℃ to 175℃
封装形式：TO-247
IPP029N06N具备以下显著特性：
1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提高系统效率。
2. 高速开关性能，适用于高频开关电源和电机驱动等应用。
3. 强大的雪崩能力，提高了器件在异常条件下的耐受性。
4. 具备良好的热稳定性和可靠性，能够适应苛刻的工作环境。
5. 符合RoHS标准，环保且安全。
6. 支持高电流输出，适用于大功率应用场景。
IPP029N06N主要应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
2. DC-DC转换器中的同步整流。
3. 电机驱动和逆变器电路。
4. 工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子中的电源管理模块。
6. 各类消费类电子产品中的高效功率转换解决方案。
IPP030N06N
IPP032N06N
IPP036N06N
