类型：双向TVS二极管阵列
　　通道数：2
　　反向关态电压（VRWM）：2.2V
　　击穿电压（VBR）：最小2.44V，典型值2.57V
　　最大钳位电压（VC）：6.0V（在IPP = 1A条件下）
　　峰值脉冲电流（IPP）：1A（单次脉冲）
　　峰值脉冲功率（PPPM）：60W（10/1000μs波形）
　　漏电流（IR）：≤1μA（在VRWM下）
　　结温范围（TJ）：-55°C 至 +150°C
　　封装类型：DFN-10（2mm × 2mm）
　　引脚数：10
　　安装方式：表面贴装（SMD）
　　ESD耐受能力：±30kV（人体模型，IEC 61000-4-2 Level 4）
　　工作温度范围：-40°C 至 +125°C

UEP2A2R2MED1TD的核心特性之一是其出色的动态响应能力，能够在纳秒级时间内响应瞬态过电压事件，迅速将电压钳制在安全水平，防止敏感IC受到损坏。这种快速响应得益于其内部采用的高性能硅PN结结构，结合优化的芯片设计，实现了极低的动态电阻和高效的能量吸收能力。该器件的双向导通特性使其能够应对正负两个方向的电压冲击，非常适合用于差分信号线或交流耦合电路中，例如RS-485、CAN总线等工业通信接口。其低钳位电压（VC ≤ 6.0V）意味着在瞬态事件发生时，传递到后级电路的能量更少，从而提升了系统整体的可靠性。
　　另一个关键优势是其高集成度与紧凑封装。UEP2A2R2MED1TD在一个仅2mm×2mm的DFN-10封装内集成了两个独立的TVS保护单元，每个通道均可独立工作，支持灵活的布线布局。这种小型化设计不仅节省了PCB空间，还有助于减少寄生电感和电容，提升高频信号传输性能。同时，DFN封装具有优异的散热性能，能够将瞬态过程中产生的热量快速散发，避免因局部过热导致器件失效。
　　该器件还具备极低的漏电流（≤1μA），在正常工作状态下几乎不消耗额外功耗，也不会对被保护线路造成干扰，特别适合用于低功耗或电池供电的应用场景。此外，它通过了IEC 61000-4-2 Level 4 ESD标准测试，可承受高达±30kV的接触放电和空气放电，表现出卓越的抗静电能力。其宽泛的工作温度范围（-40°C至+125°C）和结温范围（最高达150°C）使其能够在恶劣环境条件下稳定运行，适用于汽车电子、户外设备等对环境适应性要求较高的应用。

UEP2A2R2MED1TD广泛应用于各类需要高等级瞬态电压保护的电子系统中。在消费类电子产品中，它常用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑中的USB Type-C、HDMI、DisplayPort等高速接口的ESD保护，确保用户插拔外设时不会因静电而导致主控芯片损坏。在通信设备领域，该器件可用于保护以太网PHY接口、光纤模块、路由器和交换机中的数据线路，抵御雷击感应或电源耦合引入的瞬变干扰。工业控制系统中，诸如PLC、传感器接口、现场总线（如CAN、RS-485）等信号端口也普遍采用此类TVS阵列进行防护，提高系统的抗干扰能力和运行稳定性。
　　在汽车电子方面，随着车载信息娱乐系统（IVI）、高级驾驶辅助系统（ADAS）和车联网（V2X）技术的发展，越来越多的高速数据接口需要可靠的过压保护方案。UEP2A2R2MED1TD因其小型化、高性能和高可靠性，成为这些应用场景的理想选择，可用于保护摄像头模块、雷达接口、车载显示屏及USB充电端口等。此外，在便携式医疗设备、测试测量仪器和智能家居控制器中，该器件也能有效防止人为操作带来的静电损伤，延长产品使用寿命并提升用户体验。由于其符合RoHS和无卤素要求，满足现代绿色电子产品的环保规范，因此在出口型产品设计中也被广泛采纳。

SMF2.2ALC-TR
　　TPD2E2U06DCKR
　　ESD9L2.5ST5G