类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　栅源电压（Vgs）：±30V
　　连续漏极电流（Id）：12A
　　功耗（Pd）：150W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　存储温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：TO-220

2SK808A MOSFET 具备多项优良的电气特性，适用于中高功率开关应用。
　　首先，该器件的最大漏源电压（Vds）为500V，能够满足大多数中高压电源应用的需求，如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和逆变器等。其栅源电压（Vgs）为±30V，具有较高的栅极电压容忍度，增强了在复杂电路环境中的可靠性。
　　其次，2SK808A 的连续漏极电流（Id）可达12A，具备较强的电流承载能力。这使得它在高功率负载下仍能保持良好的导通性能，降低功率损耗，提高整体系统的效率。
　　此外，该MOSFET 的导通电阻（Rds(on)）非常低，通常在0.4Ω以下。低Rds(on)不仅减少了导通状态下的功率损耗，还降低了器件在工作时的温升，提高了热稳定性。
　　2SK808A 还具备良好的热阻特性，其封装设计（如TO-220）有助于快速散热，确保在高负载情况下仍能稳定运行。工作温度范围从-55°C到+150°C，适合在各种环境条件下使用，包括工业级和消费类电子产品。
　　最后，该器件具有较高的耐用性和较长的使用寿命，适用于需要长期稳定工作的设备，如UPS电源、电机控制电路、照明镇流器以及家电产品中的电源部分。

2SK808A MOSFET 主要用于各种中高功率电子设备中，尤其适合开关电源（SMPS）的设计，如AC-DC适配器、DC-DC转换器和反激式变换器。其高耐压和大电流能力也使其成为逆变器、不间断电源（UPS）和电池充电器的理想选择。
　　此外，该器件可用于电机控制电路中，作为H桥或半桥结构的开关元件，实现对直流电机或步进电机的高效控制。在照明系统中，2SK808A 可用于高频镇流器和LED驱动电路，提供稳定的功率输出。
　　在家电领域，该MOSFET 常用于微波炉、电磁炉、电饭煲等产品的电源控制模块，确保设备的安全和高效运行。其高可靠性和良好的热管理能力也使其适用于工业自动化设备和仪器仪表中的功率控制部分。

2SK1058, 2SK2141, IRF840, 2SK1530