FCH072N60F是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高频开关电路和功率转换领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其额定电压为600V,适合在高压环境下工作,同时具备出色的电流处理能力。
型号:FCH072N60F
类型:N-Channel MOSFET
额定电压:600V
额定电流:72A
导通电阻:0.035Ω
栅极电荷:105nC
最大功耗:290W
结温范围:-55℃ to +175℃
FCH072N60F具有非常低的导通电阻,能够显著减少功率损耗并提高效率。此外,其快速的开关速度使得它非常适合高频应用场合。器件的高雪崩能量能力增强了其在恶劣条件下的可靠性。另外,由于采用了优化的封装设计,该MOSFET还具备良好的散热性能,进一步提高了系统的稳定性。
FCH072N60F支持多种保护功能,例如过流保护和短路保护,从而确保了设备的安全运行。此器件的漏源极击穿电压高达600V,这使其成为工业级应用的理想选择,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动等。
FCH072N60F广泛应用于各种功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
1. 太阳能逆变器中的DC-AC转换电路
2. 不间断电源(UPS)中的功率开关
3. 电机驱动中的桥式电路
4. 开关模式电源(SMPS)中的主开关
5. 各类工业控制设备中的功率管理模块
这款MOSFET凭借其卓越的电气性能和可靠性,在这些应用场景中表现出色,可有效提升系统的整体性能。
FCH068N60F, FCH078N60F, IRF7739