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FCH072N60F 发布时间 时间:2025/5/8 14:13:04 查看 阅读:5

FCH072N60F是一款高性能的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要应用于高频开关电路和功率转换领域。该器件采用先进的制造工艺,具有低导通电阻、高开关速度和优异的热性能。其额定电压为600V,适合在高压环境下工作,同时具备出色的电流处理能力。

参数

型号:FCH072N60F
  类型:N-Channel MOSFET
  额定电压:600V
  额定电流:72A
  导通电阻:0.035Ω
  栅极电荷:105nC
  最大功耗:290W
  结温范围:-55℃ to +175℃

特性

FCH072N60F具有非常低的导通电阻,能够显著减少功率损耗并提高效率。此外,其快速的开关速度使得它非常适合高频应用场合。器件的高雪崩能量能力增强了其在恶劣条件下的可靠性。另外,由于采用了优化的封装设计,该MOSFET还具备良好的散热性能,进一步提高了系统的稳定性。
  FCH072N60F支持多种保护功能,例如过流保护和短路保护,从而确保了设备的安全运行。此器件的漏源极击穿电压高达600V,这使其成为工业级应用的理想选择,如太阳能逆变器、不间断电源(UPS)、电机驱动等。

应用

FCH072N60F广泛应用于各种功率电子系统中,包括但不限于以下领域:
  1. 太阳能逆变器中的DC-AC转换电路
  2. 不间断电源(UPS)中的功率开关
  3. 电机驱动中的桥式电路
  4. 开关模式电源(SMPS)中的主开关
  5. 各类工业控制设备中的功率管理模块
  这款MOSFET凭借其卓越的电气性能和可靠性,在这些应用场景中表现出色,可有效提升系统的整体性能。

替代型号

FCH068N60F, FCH078N60F, IRF7739

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FCH072N60F参数

  • 现有数量0现货
  • 价格1 : ¥74.17000管件
  • 系列FRFET?, SuperFET? II
  • 包装管件
  • 产品状态不适用于新设计
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)600 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)52A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)72 毫欧 @ 26A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)215 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)8660 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)481W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247-3
  • 封装/外壳TO-247-3