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CJAC20N03 发布时间 时间:2025/8/16 23:25:18 查看 阅读:4

CJAC20N03 是一款由华润华晶微电子(无锡)有限公司生产的N沟道增强型功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),主要用于中高功率的电源管理和功率转换应用。该器件具备低导通电阻、高耐压、高可靠性和良好的热稳定性,适用于开关电源、DC-DC转换器、负载开关、马达控制等多种电源管理场景。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):30V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):20A
  导通电阻(Rds(on)):典型值28mΩ @ Vgs=10V
  功率耗散(Pd):100W
  工作温度范围:-55℃ ~ +150℃
  封装形式:TO-252(DPAK)

特性

CJAC20N03 MOSFET具有低导通电阻的特性,有助于降低导通损耗,提高电源转换效率。其20A的连续漏极电流能力,配合30V的漏源耐压,使其适用于中高功率应用场景。
  该器件采用了先进的沟槽式MOSFET技术,实现了高密度电流传输能力与较低的开关损耗之间的平衡。此外,CJAC20N03具有良好的热稳定性,能够在较高温度环境下稳定工作,适用于紧凑型高功率密度设计。
  其TO-252(DPAK)封装形式不仅便于安装和散热,还适合表面贴装工艺,提高了生产效率和系统可靠性。CJAC20N03在设计上具备较强的抗雪崩能力和过热保护特性,增强了器件在复杂工作环境下的耐用性和安全性。

应用

CJAC20N03广泛应用于各类电源管理系统中,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统(BMS)、负载开关、电机驱动电路、UPS不间断电源、LED驱动电源以及工业自动化控制设备等。
  在电动汽车和新能源系统中,该器件也常用于电池充放电管理模块、车载充电器和逆变器系统中。由于其良好的导通特性和热稳定性,也适用于对效率和可靠性要求较高的通信电源和服务器电源模块。

替代型号

Si2302DS, IRF3205, AO4406, FDS6680, CJAC2302

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