型号：SKT110F12DUH1
　　类型：IGBT双单元模块
　　最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：110A
　　工作温度范围：-40°C至+150°C
　　封装类型：双列直插式模块（Dual Module）
　　短路耐受能力：具备短路保护能力
　　绝缘耐压：符合相关工业标准
　　导通压降（VCE_sat）：典型值约为2.1V（在IC=110A时）
　　开关损耗（Eon/Eoff）：具体数值需参考数据手册
　　安装方式：螺钉安装
　　热阻（Rth）：根据散热器条件不同而变化

SKT110F12DUH1 模块具有多项高性能特性。首先，其采用先进的IGBT芯片技术，确保了低导通压降和低开关损耗的结合，提高了整体效率。其次，模块内部采用双单元结构，每个单元都包含一个IGBT和一个反向并联的快速恢复二极管，适合于桥式电路拓扑结构的应用。此外，模块具备良好的热性能，能够在高温环境下稳定工作，并且具有较高的短路耐受能力，增强了系统的可靠性和安全性。模块的封装设计也考虑到了绝缘性能和机械强度，适用于工业级的严苛环境。最后，模块的设计符合RoHS环保标准，支持绿色电子产品的开发。

SKT110F12DUH1 主要应用于需要高功率密度和高可靠性的电力电子设备中。典型应用包括工业变频器、伺服驱动器、逆变器、不间断电源（UPS）、可再生能源系统（如太阳能逆变器）、电动车辆充电系统以及各种类型的电机控制系统。该模块特别适合于需要高效能、高稳定性和紧凑设计的工业自动化和能源管理领域。由于其优异的电气和热性能，该模块也可用于高频开关应用，帮助工程师实现更高的系统效率和更低的能耗。

SKM100GB12T4, FS150R12KT3, FF150R12RT4