时间：2025/8/16 4:45:42
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RF5521TR7 是一款由 RF Micro Devices（现为 Qorvo）制造的高性能射频（RF）功率晶体管，采用 GaAs（砷化镓）材料制造，适用于高频和高功率应用。该器件采用表面贴装封装（SOT-89），具有良好的热性能和可靠性。RF5521TR7 主要用于 2 GHz 以下的无线通信系统，如蜂窝基站、无线基础设施和工业设备。
类型：GaAs FET
频率范围：DC 至 2 GHz
输出功率：典型值 10 W（在 2 GHz）
增益：约 14 dB（在 2 GHz）
效率：约 60%（在 2 GHz）
输入驻波比（VSWR）：典型值 2.5:1
工作电压：+28 V
封装类型：SOT-89
输入功率：典型值 1 W
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
RF5521TR7 是一款高线性度和高效率的射频功率晶体管，专为满足现代通信系统对高稳定性和高性能的需求而设计。该器件在 2 GHz 以下的频率范围内表现出色，能够提供高达 10 W 的输出功率，具有 14 dB 的增益和 60% 的效率。其 SOT-89 封装提供了良好的散热性能，使其能够在高功率条件下稳定运行。
该晶体管具有优异的线性度和低失真特性，非常适合用于多载波通信系统和高数据速率传输应用。其输入驻波比（VSWR）典型值为 2.5:1，表明其良好的阻抗匹配能力，有助于减少信号反射和提高系统效率。
此外，RF5521TR7 的工作温度范围为 -40°C 至 +85°C，适合在各种环境条件下运行。其 +28 V 的工作电压使其适用于常见的射频功率放大器电源设计。这款器件还具备良好的可靠性和耐用性，能够在长时间运行中保持稳定性能。
RF5521TR7 主要应用于 2 GHz 以下的无线通信系统，包括蜂窝基站、无线本地环路（WLL）、点对点通信、工业和医疗设备、广播发射机以及测试和测量设备。其高功率和高效率特性使其成为高要求射频系统中理想的选择。
RF5521
