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MT41K256M16TW-107 AIT:P TR 发布时间 时间:2025/10/22 16:22:26 查看 阅读:9

MT41K256M16TW-107AIT:P TR是美光科技(Micron Technology)生产的一款高性能DDR3 SDRAM(双倍数据速率同步动态随机存取存储器)芯片,属于其广泛使用的内存产品线之一。该器件采用先进的封装技术和制造工艺,适用于需要高带宽、低功耗和稳定可靠内存解决方案的应用场景。这款芯片的容量为4Gb(即256Meg x 16位结构),工作电压为1.35V或1.5V,支持节能型DDR3L标准,能够在多种电源模式下运行以优化系统功耗。其命名规则中,'MT'代表Micron品牌,'41K'表示DDR3产品系列,'256M16'指明存储结构为256兆行乘以16位数据宽度,'TW'代表FBGA封装形式,'-107'对应于最大运行时钟周期为1.07ns(即频率约为1866Mbps数据传输率),'AIT:P'表示产品等级和温度范围符合工业级规范,而'TR'则说明该器件是以卷带包装方式供货,适合自动化贴片生产线使用。该内存芯片广泛应用于网络设备、服务器模块、嵌入式系统、工业控制平台以及高端消费类电子产品中,作为主存或缓存单元提供快速的数据访问能力。

参数

类型:DDR3L SDRAM
  容量:4 Gb (256M x 16)
  组织结构:256 Meg x 16 bits
  电压:VDD/VDDQ = 1.35V / VDDQ = 1.35V ± 0.075V,兼容1.5V操作
  速度等级:-107(等效时钟频率约933MHz,数据速率为1866 MT/s)
  封装形式:96-ball FBGA(Fine-Pitch Ball Grid Array)
  封装尺寸:9mm x 13mm x 0.9mm
  工作温度:工业级(-40°C 至 +85°C)
  刷新模式:自动与自刷新支持
  数据总线宽度:x16
  突发长度:可编程BL=8或Burst Chop=4
  预取架构:8n预取
  时序参数:CL(CAS延迟)典型值为13-15 cycles,tRCD/tRP = 13 cycles @ 1866Mbps
  接口信号:SSTL_135 I/O标准
  封装环保性:符合RoHS指令,无铅且卤素含量符合JEDEC标准

特性

MT41K256M16TW-107AIT:P TR具备多项先进特性,确保在复杂环境下的高性能与稳定性。
  首先,该芯片支持DDR3L低电压运行,在1.35V供电条件下即可实现高达1866 MT/s的数据传输速率,相较于传统1.5V DDR3内存显著降低系统功耗,特别适用于对能效要求较高的嵌入式和便携式设备。其内部采用8n预取架构,结合源同步接口设计,可在每个时钟周期的上升沿和下降沿同时传输数据,极大提升了带宽利用率。此外,该器件支持可配置突发长度(BL=8或BC4),允许系统根据实际访问模式优化读写效率,并通过ODT(On-Die Termination)功能减少信号反射,提高高速信号完整性。
  其次,MT41K256M16TW-107AIT:P TR具有出色的温度适应能力,标称为工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),使其可在严苛环境下稳定运行,适用于户外通信基站、轨道交通控制系统、工业自动化PLC等场景。器件内置多种省电模式,包括部分阵列自刷新(PASR)、深度掉电模式(Deep Power Down)及温度补偿自刷新(TCSR),可根据系统负载动态调整能耗,延长电池寿命或降低散热需求。
  再者,该芯片采用96-ball FBGA封装,引脚间距小、体积紧凑,有利于高密度PCB布局,同时具备良好的热传导性能。所有I/O均支持阻抗匹配控制,有效抑制串扰和噪声干扰。美光还为此型号提供了完整的可靠性测试报告,包括高温高湿反偏(H3TRB)、温度循环(TC)、高压釜试验等,确保长期使用的稳定性。此外,该器件兼容JEDEC标准协议,便于与主流FPGA、处理器(如Xilinx Zynq、Intel Cyclone V SoC等)无缝对接,缩短开发周期。

应用

MT41K256M16TW-107AIT:P TR广泛用于对性能、功耗和环境适应性有较高要求的工业与通信领域。
  在通信基础设施方面,它常被集成于路由器、交换机、无线基站(如4G LTE微基站)中,作为数据包缓冲区或协议处理缓存,支撑高速数据转发与实时调度任务。由于其支持1866 Mbps的高带宽数据吞吐,能够满足多通道MAC层处理和流量整形的需求。
  在工业控制领域,该芯片适用于PLC控制器、HMI人机界面、运动控制卡等设备,提供可靠的运行内存支持,保障复杂逻辑运算和实时响应的稳定性。尤其在宽温环境下,其工业级温度规格确保系统在极端气候条件(如寒冷地区变电站或高温工厂车间)仍能正常启动与运行。
  此外,该器件也常见于嵌入式视觉系统、机器视觉相机、智能交通监控终端等边缘计算装置中,配合DSP或FPGA实现图像缓存与视频流预处理。例如,在基于FPGA的图像采集板上,MT41K256M16TW可用作帧缓冲器,临时存储多幅高清图像数据,避免因主控处理延迟导致丢帧问题。
  同时,因其卷带包装(TR)形式适合SMT自动化贴装,大量应用于批量生产的模块化产品,如SoM(System-on-Module)、COM Express模块、DDR3内存条子卡等。在医疗电子设备中,如便携式超声仪或监护仪,该芯片凭借低功耗和高可靠性特点,也成为优选的外部存储方案之一。

替代型号

MT41K256M16HA-125:A
  MT41K256M16TW-125AIT:P TR
  IS43LD32800B-166BLI2

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MT41K256M16TW-107 AIT:P TR参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥64.95000剪切带(CT)2,000 : ¥45.02948卷带(TR)
  • 系列Automotive, AEC-Q100
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型易失
  • 存储器格式DRAM
  • 技术SDRAM - DDR3L
  • 存储容量4Gb
  • 存储器组织256M x 16
  • 存储器接口并联
  • 时钟频率933 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间20 ns
  • 电压 - 供电1.283V ~ 1.45V
  • 工作温度-40°C ~ 95°C(TC)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳96-TFBGA
  • 供应商器件封装96-FBGA(8x14)