时间：2025/8/24 18:48:23
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FQD4N50T 是一款由 Fairchild Semiconductor（飞兆半导体）制造的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛用于各种电源管理和功率转换应用中。该器件设计用于在高电压和中等电流条件下提供高效的开关性能，具有低导通电阻和快速开关速度的特点。
类型：N 沟道增强型 MOSFET
漏极-源极电压（VDS）：500V
栅极-源极电压（VGS）：±30V
漏极电流（ID）@25°C：4.5A
导通电阻（RDS(on)）：1.7Ω @ VGS = 10V
工作温度范围：-55°C ~ +150°C
封装类型：TO-220
FQD4N50T 的核心特性之一是其在高压环境下仍能保持较低的导通电阻，这使得该器件在开关过程中能够减少功率损耗并提高效率。其 RDS(on) 典型值为 1.7Ω，在 VGS = 10V 时能够确保稳定的导通状态，从而减少热量产生并提升整体系统效率。
此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和耐用性，能够在高温环境下稳定工作，适合用于环境条件较为严苛的应用场景。其最大工作温度可达 +150°C，而最低可至 -55°C，适应各种工业和汽车电子应用需求。
FQD4N50T 还具备快速开关能力，能够实现高频操作，适用于 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、电机控制等高频功率转换电路。其开关损耗低，有助于提高系统的整体效率。
该器件采用 TO-220 封装，便于安装和散热，适合用于需要良好散热性能的功率应用。TO-220 封装广泛应用于各种功率电子设备中，具备良好的机械强度和电气隔离性能。
FQD4N50T 常用于各种电源管理电路中，例如 AC-DC 和 DC-DC 转换器、开关电源（SMPS）、LED 照明驱动电路、电机控制电路以及各种工业自动化设备中的功率开关部分。由于其具备较高的耐压能力和良好的导通性能，该器件也适用于电池充电器、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）电路等应用场景。
在 LED 照明系统中，FQD4N50T 可作为主开关器件用于恒流驱动电路，以实现高效率和长寿命的照明解决方案。此外，在太阳能逆变器和电动车充电系统中，该 MOSFET 可用于功率转换和能量管理模块，提供高效稳定的开关性能。
由于其良好的热稳定性和抗过载能力，FQD4N50T 也适用于工业自动化控制设备中的电机驱动和继电器替代应用，能够有效提升系统的可靠性和寿命。
FQP4N50, IRF840, STP4NK50Z, FQA4N50
