型号：RUU002N05 T106
　　类型：N沟道MOSFET
　　最大漏源电压（VDS）：50V
　　最大连续漏极电流（ID）：2.3A @ 25°C
　　最大脉冲漏极电流（IDM）：9.2A
　　最大栅源电压（VGS）：±12V
　　导通电阻（RDS(on)）：22mΩ @ VGS=10V；28mΩ @ VGS=4.5V
　　阈值电压（Vth）：1.0V ~ 2.0V
　　输入电容（Ciss）：320pF @ VDS=25V
　　输出电容（Coss）：110pF @ VDS=25V
　　反向传输电容（Crss）：35pF @ VDS=25V
　　栅极电荷（Qg）：6.8nC @ VGS=10V
　　体二极管反向恢复时间（trr）：22ns
　　工作结温范围（Tj）：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：T106（SOT-723）

RUU002N05 T106采用了瑞萨先进的沟槽栅极工艺技术，使其在同类产品中具备极低的导通电阻，显著降低导通损耗，提高整体能效。其典型RDS(on)仅为22mΩ（当VGS=10V时），即使在较低的栅极驱动电压下（如4.5V），也能保持28mΩ的低阻值，这使得它非常适合用于电池供电设备或对能耗敏感的应用场景。该器件的阈值电压范围为1.0V至2.0V，属于典型的逻辑电平兼容型MOSFET，能够被3.3V甚至更低电压的数字输出直接驱动，极大提升了系统的集成度与灵活性。
　　该MOSFET具有出色的开关特性，输入电容仅为320pF，在高频开关应用中表现出较低的驱动功耗和快速的响应速度。配合仅6.8nC的总栅极电荷（Qg），可在DC-DC转换器中实现高效的开关动作，减少开关过渡过程中的能量损耗。同时，其体二极管具有较短的反向恢复时间（trr=22ns），有效抑制了反向恢复引起的尖峰电流和电磁干扰，提高了系统的EMI性能和稳定性。
　　热性能方面，T106封装虽然体积小巧，但通过优化内部结构和材料选择，实现了良好的散热能力。在自由空气环境中，其热阻（RθJA）约为250°C/W，结合PCB上的适当敷铜设计，可进一步降低温升，保障长期可靠运行。器件的工作结温范围覆盖-55°C到+150°C，满足严苛工业环境下的使用需求。此外，该MOSFET内置过温保护机制，并具备高抗ESD能力（HBM模型下可达2kV以上），增强了现场使用的鲁棒性。产品无铅、符合RoHS指令要求，支持回流焊工艺，适合自动化贴片生产。

RUU002N05 T106因其小尺寸、低导通电阻和逻辑电平驱动特性，广泛应用于各类便携式电子设备中的电源开关与负载控制模块。常见用途包括智能手机、平板电脑、可穿戴设备中的电池电源管理单元，作为负载开关用于切断非工作模块的供电以延长待机时间。在DC-DC降压或升压转换电路中，常被用作同步整流开关，替代传统的肖特基二极管，大幅提高转换效率并减少发热。
　　在工业控制系统中，该器件可用于驱动继电器、LED指示灯、小型电机或传感器模块的通断控制，尤其适用于空间受限但要求高可靠性的应用场景。由于其良好的瞬态响应能力和抗噪声性能，也常用于通信设备、网络路由器和IoT终端设备的板级电源管理设计中。此外，在USB供电路径管理、热插拔电路以及电池充电管理IC的配套电路中，RUU002N05 T106也能发挥出色的性能表现。得益于其高集成度和表面贴装封装，特别适合高密度PCB布局，是现代紧凑型电子产品中理想的功率开关元件之一。

DMG2302UK