RF1646TR13-5K 时间：2025/8/16 4:31:16 阅读：22

RF1646TR13-5K是一款由RF Micro Devices（现为Qorvo）制造的射频（RF）功率晶体管，属于双极型晶体管（BJT）类别，专为高功率射频放大应用而设计。该器件采用InGaP/GaAs技术，提供高线性度和优异的功率处理能力，适用于无线基础设施、基站、工业和通信设备中的功率放大器设计。

参数

类型：射频功率双极型晶体管（BJT）
　　材料：InGaP/GaAs
　　最大工作频率：2.7 GHz
　　输出功率：35 dBm（典型值）
　　增益：18 dB（典型值）
　　效率：约50%
　　工作电压：5V
　　封装类型：表面贴装（SOT-89）
　　工作温度范围：-40°C至+85°C

特性

RF1646TR13-5K具备高线性度，适用于需要低失真的通信系统，例如W-CDMA、LTE和其他数字蜂窝标准。该器件采用先进的InGaP/GaAs异质结双极晶体管（HBT）技术，确保在高频下具有良好的性能和稳定性。此外，其紧凑的SOT-89封装形式使其适用于空间受限的高密度PCB布局。
　　该晶体管具有良好的热稳定性和可靠性，能够在较高的环境温度下稳定工作。其5V的工作电压与许多射频电源管理系统兼容，简化了电源设计。在小信号条件下，RF1646TR13-5K可提供高达2.7GHz的稳定增益，适用于中功率放大阶段。
　　该器件的线性输出功率可达35dBm，同时保持较低的谐波失真和良好的ACLR（相邻信道泄漏比）性能，适合用于数字预失真（DPD）系统。此外，它在较宽的频率范围内表现出色，支持多频段和多标准应用，提高了设计的灵活性。

应用

RF1646TR13-5K广泛应用于无线通信基础设施，如蜂窝基站、微波通信设备、WiMAX系统、无线本地环路（WLL）设备以及工业和医疗射频设备中的功率放大器设计。它特别适用于需要高线性度和高效率的数字通信系统，例如在WCDMA、LTE FDD和TDD模式下的功率放大模块。此外，由于其高频性能和小尺寸封装，它也常用于便携式测试设备和宽带射频模块。