最大重复峰值反向电压（VRRM）：150V
　　最大平均整流电流（IF(AV)）：20A
　　正向压降（VF）：典型值0.47V（在IF=20A时）
　　最大反向漏电流（IR）：在VR=150V时最大为0.5mA
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-65°C至+150°C
　　封装形式：TO-220AC

MBR20H150FAT_T0_00001 的核心优势在于其低正向压降和快速恢复时间，这使得该器件在高频应用中表现出色，减少了开关损耗并提高了整体系统效率。
　　首先，这款肖特基二极管的正向压降（VF）在额定电流下仅为0.47V左右，远低于传统硅整流二极管，从而降低了导通损耗，特别适用于需要高效能转换的电源设计。
　　其次，由于肖特基结构的特性，该器件没有反向恢复时间（trr），因此在高频开关电路中不会产生由反向恢复引起的开关损耗和电磁干扰（EMI）。这一特性使其非常适合用于高频率的DC-DC转换器和开关电源（SMPS）应用。
　　此外，MBR20H150FAT_T0_00001 采用了TO-220AC封装，具备良好的散热性能，能够在较高电流下保持稳定运行。该封装形式也便于安装在散热片上，以提高热管理能力。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至+150°C，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于各种严苛的工业和汽车电子环境。

MBR20H150FAT_T0_00001 主要用于以下几类应用场景：
　　在开关电源（SMPS）中作为输出整流器，因其低正向压降可有效提升电源转换效率；
　　在DC-DC转换器中用于高频率整流，确保快速响应和高效能；
　　作为极性保护二极管，在电源输入端防止反向电流损坏后级电路；
　　在电池充电管理系统中作为隔离二极管，防止电池回流供电系统；
　　在不间断电源（UPS）系统中用于整流和逆变电路中的快速开关元件；
　　适用于工业控制、通信电源、汽车电子以及消费类电子中的高效电源模块。

MBR20H150FAT4G、MBR20150CT、SB20150CT、MBRS3H150T3G