时间：2025/8/6 12:53:48
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IXTP44N10T 是一款由 IXYS 公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）。该器件专为高效率功率转换应用而设计，具有低导通电阻、高耐压能力以及优异的热稳定性。IXTP44N10T 采用 TO-220 封装，适用于开关电源、电机控制、逆变器、DC-DC 转换器等多种电力电子应用场合。
类型：N沟道MOSFET
漏源电压 Vds：100V
栅源电压 Vgs：±20V
漏极电流 Id：44A
导通电阻 Rds(on)：最大 28mΩ（在 Vgs=10V）
功耗 PD：160W
工作温度范围：-55°C ~ +175°C
封装形式：TO-220
IXTP44N10T MOSFET 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗并提高系统效率。其最大导通电阻仅为 28mΩ，当栅极驱动电压为 10V 时即可实现完全导通，从而确保在高电流应用中保持较低的功率损耗。
此外，该器件具有较高的电流承载能力，连续漏极电流可达 44A，适合用于大功率开关电路。同时，其最大漏源电压为 100V，能够承受较高的电压应力，适用于多种中压功率转换系统。
该 MOSFET 的热性能也表现优异，TO-220 封装具备良好的散热能力，允许器件在较高环境温度下稳定工作。其最大功耗为 160W，表明其具备较强的热稳定性，适用于高功率密度设计。
在可靠性方面，IXTP44N10T 的工作温度范围宽达 -55°C 至 +175°C，使其能够在严苛的工业环境和汽车应用中可靠运行。此外，其栅源电压容限为 ±20V，提供了较好的抗过压能力，减少了栅极驱动电路设计的复杂性。
综上所述，IXTP44N10T 凭借其低导通电阻、高电流能力、优异的热性能和宽工作温度范围，成为多种高效率功率转换应用的理想选择。
IXTP44N10T 主要应用于各类功率电子系统中，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、电机驱动器、逆变器、电池管理系统（BMS）以及工业自动化控制系统。其高电流能力和低导通电阻使其特别适合用于高效率、高功率密度的电源设计中。此外，该器件也可用于汽车电子系统，如车载充电器、起停系统和电动助力转向系统等对可靠性要求较高的场合。
IXTP44N10,
IRF44N10,
IPW44N10,
STP44N10
