类型：IGBT模块
　　集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：650A
　　短路电流能力：1300A
　　工作温度范围：-40°C 至 +150°C
　　封装形式：双列直插式封装（DIP）
　　安装方式：螺钉安装
　　芯片技术：沟道型 IGBT
　　封装材料：绝缘陶瓷基板
　　热阻（Rth）：0.12 K/W

SKN650F12 模块具备出色的电气和热性能，适用于高功率密度设计。其 1200V 的最大集电极-发射极电压使其能够用于中高压应用，而 650A 的额定电流则确保其在高负载条件下仍能稳定运行。模块内部采用先进的 IGBT 芯片技术，提供低导通压降和快速开关特性，从而提高系统效率并减少功率损耗。
　　此外，该模块具有优异的热管理能力，热阻仅为 0.12 K/W，有助于在高功率运行时有效散热，延长器件寿命。模块封装采用绝缘陶瓷基板，确保良好的电气隔离和机械稳定性。其双列直插式封装设计便于安装和维护，适合用于各种工业电力电子系统。
　　SKN650F12 还具备较强的短路承受能力，可在短时间内承受高达 1300A 的电流，提高系统的可靠性和安全性。其宽工作温度范围（-40°C 至 +150°C）也使其适用于严苛的工业环境。

SKN650F12 主要应用于中高功率电力电子系统，如工业变频器、伺服驱动器、不间断电源（UPS）、电焊机、感应加热设备以及风能和太阳能逆变系统。由于其高电压和高电流能力，该模块特别适合需要高功率输出和高可靠性的应用场景。在电机控制方面，它可用于高性能电机驱动器，实现高效、稳定的运行。在可再生能源系统中，该模块可用于将直流电转换为交流电并馈入电网，提高能源转换效率。

SKM600GB12T4、FS600R12KE3、FF600R12ME4_B11