1SV196-T2 是一种高性能的硅平面型二极管,适用于高频开关和快速恢复应用。该器件采用了先进的制造工艺,具有低正向电压降、快速反向恢复时间和良好的热稳定性,广泛用于开关电源、逆变器和电机驱动等场景。
该型号属于工业级或汽车级产品线,适合在恶劣环境下工作,同时具备高可靠性和长寿命特点。
类型:快速恢复二极管
最大 repetitive peak reverse voltage (VRRM):600V
最大 average rectified output current (IO(AV)):4A
最大 forward voltage drop (VF) @ 2A:1.1V
最大 reverse recovery time (trr):75ns
结温范围 (TJ):-55°C to +175°C
封装形式:TO-220AC
存储温度范围:-55°C to +150°C
1SV196-T2 具备以下显著特性:
1. 快速反向恢复时间(trr)仅为 75 纳秒,能够有效减少开关损耗并提升效率。
2. 在大电流条件下仍能保持较低的正向压降(VF),从而降低功耗。
3. 高峰值反向电压能力(VRRM=600V),可承受较高瞬态电压冲击。
4. 工作温度范围宽广(-55°C 至 +175°C),适应各种极端环境条件。
5. TO-220AC 封装设计提供良好的散热性能,并易于集成到实际电路中。
这些特性使得 1SV196-T2 成为高频功率转换应用中的理想选择。
1SV196-T2 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)整流与保护。
2. 逆变器和变频器中的续流二极管。
3. 电机驱动电路中的 freewheeling diode。
4. 太阳能逆变器和其他可再生能源系统中的能量回收。
5. 汽车电子设备中的 DC-DC 转换器。
由于其快速恢复特性和高耐压能力,该二极管非常适合需要高效能量转换和低电磁干扰的设计。
1SV195-T2
1SV200-T2
MUR160
BYV29-600