STM32F103TBU6中密度性能线系列包含高性能ARM?Cortex?-M3 32位RISC内核,工作频率为72 MHz,高速嵌入式存储器(闪存高达128 KB,SRAM高达20 KB),以及连接到两条APB总线的大量增强型I/O和外围设备。所有设备都提供两个12位ADC、三个通用16位定时器和一个PWM定时器,以及标准和高级通信接口:最多两个I2C和SPI、三个USART、一个USB和一个CAN。 STM32F103TBU6的工作电压为2.0至3.6 V。它们可在-40至+85°C温度范围和-40至+105°C扩展温度范围内使用。一套全面的节能模式允许设计低功耗应用。STM32F103TBU6中密度性能线系列包括六种不同封装类型的器件:从36引脚到100引脚。根据所选择的设备,包括不同的外围设备集,下面的描述概述了该系列中建议的完整外围设备。
■核心:ARM 32位Cortex?-M3 CPU
-最高频率72兆赫,
1.25 DMIPS/MHz (Dhrystone 2.1)
0等待状态内存访问的性能
-单周期乘法和硬件除法
■记忆
- 64或128千字节的闪存
- 20kbytes的SRAM
■时钟、复位和供应管理
- 2.0至3.6 V应用电源和I/ o
- POR, PDR和可编程电压检测器(PVD)
- 4- 16 MHz晶体振荡器
-内部8 MHz工厂修剪RC
-内部40 kHz RC
—CPU时钟锁相环
- 32 kHz振荡器的RTC校准
■功率低
-睡眠、停止和待机模式
- VBAT供应RTC和备份寄存器
2 x 12位,1μs A/D转换器(最多16通道)
—转换范围:0 ~ 3.6 V
-双采样和保持能力
-温度传感器
■直接存储器存取
- 7通道DMA控制器
-外设支持:定时器,ADC, spi,
i2c和USARTs
■多达80个快速I/O端口
- 26/37/51/80个I/ o,均可映射到16
外部中断向量和几乎所有5 v耐受性
商品分类 | MCU微控制器 | 品牌 | ST(意法半导体) |
封装 | VFQFPN36_6x6x05P | 包装 | 托盘 |
产品应用 | 通用类MCU | 核心处理器 | ARMCortex-M3 |
内核规格 | 32-位 | 速度 | 72MHz |
连接能力 | CANbus,I2C,IrDA,LIN,SPI,UART/USART,USB | 外设 | DMA,电机控制PWM,PDR,POR,PVD,PWM,温度传感器,WDT |
I/O数 | 26 | 程序存储容量 | 128KB(128Kx8) |
程序存储器类型 | 闪存 | EEPROM容量 | - |
RAM大小 | 20Kx8 | 电压-供电(Vcc/Vdd) | 2V~3.6V |
数据转换器 | A/D10x12b | 振荡器类型 | 内部 |
工作温度 | -40°C~85°C(TA) | 安装类型 | 表面贴装型 |
基本产品编号 | STM32F103 | HTSUS | 8542.31.0001 |
湿气敏感性等级(MSL) | 3(168小时) | ECCN | 3A991A2 |
RoHS状态 | 符合ROHS3规范 | REACH状态 | 非REACH产品 |
STM32F103TBU6原理图
STM32F103TBU6引脚图
STM32F103TBU6封装
STM32F103TBU6料号解释