时间：2025/9/12 17:28:08
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KHB4D5N60F-U/P 是一款由KIA Semiconductor（启亚半导体）设计的N沟道增强型功率MOSFET，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等电力电子设备中。该器件采用先进的高压工艺制造，具备优异的导通特性和热稳定性，能够在高温和高电压环境下稳定工作。该MOSFET封装为TO-220FP，适用于需要高效、高可靠性的电源管理系统。
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：600V
最大漏极电流（Id）：4.5A（25℃）
导通电阻（Rds(on)）：≤2.5Ω（Vgs=10V）
栅极阈值电压（Vgs(th)）：2V~4V（在Id=250μA时）
最大耗散功率（Pd）：50W
工作温度范围：-55℃~+150℃
封装形式：TO-220FP
KHB4D5N60F-U/P 具备低导通电阻的特性，能够显著降低导通损耗，提高系统效率。其最大导通电阻不超过2.5Ω，确保在中等电流条件下仍能保持较低的功率损耗。该器件的漏源耐压高达600V，适用于中高压电源转换系统。
此外，该MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性，可承受较高的工作温度，确保在连续高负载条件下的可靠运行。其栅极驱动特性稳定，阈值电压范围适中（2V~4V），便于与常见的驱动IC或微控制器接口匹配。
TO-220FP封装不仅提供了良好的散热性能，还具备较强的机械强度和封装可靠性，适合工业级应用环境。该封装形式也便于安装散热片，进一步提升器件的散热能力。
此外，该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力，能够在突发的电压冲击下保持稳定运行，提高系统的抗干扰能力。
KHB4D5N60F-U/P 常用于各种电力电子设备中，如开关电源（SMPS）、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、LED驱动电源、充电器、负载开关、功率因数校正（PFC）电路等。
在开关电源领域，该MOSFET可作为主开关器件，负责高频开关操作，实现高效率的能量转换。在电机驱动应用中，可用于H桥电路中的上桥或下桥开关，控制电机的启停与方向。在LED驱动器中，它可用于恒流控制电路，提高光源的稳定性和寿命。
此外，该器件也可用于电池管理系统中的负载开关控制，实现对不同负载的智能电源管理。由于其具备较高的电压和电流耐受能力，适用于多种中高压电源管理场景。
KHB4D5N60F, KSB4D5N60F, 2SK2647, 2SK2141
