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KHB4D5N60F-U/P 发布时间 时间:2025/9/12 17:28:08 查看 阅读:22

KHB4D5N60F-U/P 是一款由KIA Semiconductor(启亚半导体)设计的N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动和负载开关等电力电子设备中。该器件采用先进的高压工艺制造,具备优异的导通特性和热稳定性,能够在高温和高电压环境下稳定工作。该MOSFET封装为TO-220FP,适用于需要高效、高可靠性的电源管理系统。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏源电压(Vds):600V
  最大漏极电流(Id):4.5A(25℃)
  导通电阻(Rds(on)):≤2.5Ω(Vgs=10V)
  栅极阈值电压(Vgs(th)):2V~4V(在Id=250μA时)
  最大耗散功率(Pd):50W
  工作温度范围:-55℃~+150℃
  封装形式:TO-220FP

特性

KHB4D5N60F-U/P 具备低导通电阻的特性,能够显著降低导通损耗,提高系统效率。其最大导通电阻不超过2.5Ω,确保在中等电流条件下仍能保持较低的功率损耗。该器件的漏源耐压高达600V,适用于中高压电源转换系统。
  此外,该MOSFET具有较高的热稳定性和耐用性,可承受较高的工作温度,确保在连续高负载条件下的可靠运行。其栅极驱动特性稳定,阈值电压范围适中(2V~4V),便于与常见的驱动IC或微控制器接口匹配。
  TO-220FP封装不仅提供了良好的散热性能,还具备较强的机械强度和封装可靠性,适合工业级应用环境。该封装形式也便于安装散热片,进一步提升器件的散热能力。
  此外,该MOSFET具备良好的雪崩能量耐受能力,能够在突发的电压冲击下保持稳定运行,提高系统的抗干扰能力。

应用

KHB4D5N60F-U/P 常用于各种电力电子设备中,如开关电源(SMPS)、AC-DC电源适配器、DC-DC转换器、电机驱动器、LED驱动电源、充电器、负载开关、功率因数校正(PFC)电路等。
  在开关电源领域,该MOSFET可作为主开关器件,负责高频开关操作,实现高效率的能量转换。在电机驱动应用中,可用于H桥电路中的上桥或下桥开关,控制电机的启停与方向。在LED驱动器中,它可用于恒流控制电路,提高光源的稳定性和寿命。
  此外,该器件也可用于电池管理系统中的负载开关控制,实现对不同负载的智能电源管理。由于其具备较高的电压和电流耐受能力,适用于多种中高压电源管理场景。

替代型号

KHB4D5N60F, KSB4D5N60F, 2SK2647, 2SK2141

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